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如何选择MOSFET--电机控制应用-KIA MOS管
电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场，特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此，我们将专注于讨论如何选择正确的FET来驱动有刷、无刷和步进电机。尽管很少有硬性规定，且可能有无数种方法，但希望本文能让您基于终端应用了解从...www.kiaic.com/article/detail/3331.html 2022-02-09
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KNX3320A参数 MOS管200V90A 规格书 原厂原装直销-KIA MOS管
KNX3320A参数 MOS管200V90A特性专用的新平面技术RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V低栅电荷使开关损耗最小化www.kiaic.com/article/detail/3330.html 2022-01-26
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MOSFET-自动平衡超级电容器泄漏的最佳选择-KIA MOS管
MOSFET可降低超级电容器的工作偏置电压，平衡电路的功耗，并可以根据温度、时间和环境变化而自动调节。在能量采集、办公自动化和备份系统等一系列新产品设计中，超级电容器（supercapacitor）引起了设计团队的关注。这些超级电容器电池具有高效存储能力，可根据...www.kiaic.com/article/detail/3329.html 2022-01-26
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SiC MOSFET低边开关导通时Gate-Source间电压的动作-KIA MOS管
当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的极性产生公式（1）的电动势。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电，因此在LS会将VG...www.kiaic.com/article/detail/3328.html 2022-01-26
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SiC MOSFET栅极驱动电路和导通/关断动作分析-KIA MOS管
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。www.kiaic.com/article/detail/3327.html 2022-01-25
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【电子技术】有功功率与无功功率的理解分析-KIA MOS管
在交流电路中，由电源供给负载的电功率有两种：一种是有功功率，一种是无功功率。电压电流同相位，电源向负载供电，负载把电能转换成其他能量，叫有功。电压电流不同相位部分，电源与负载之间交换电能，这部分(除线路损耗外)电能不转换(电磁以外的)成其他能量，...www.kiaic.com/article/detail/3326.html 2022-01-25
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正确比较了解SiC FET导通电阻随温度产生的变化-KIA MOS管
在不低于几百伏的较高电压下，Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位置的有力竞争产品，它们的数据资料中通常标明特定额定电压、结温和栅极驱动电压下的RDS(ON)值。www.kiaic.com/article/detail/3325.html 2022-01-25
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【图文】如何提高隔离式电源的效率？-KIA MOS管
在大多数降压调节器的典型应用中，使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率，尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中，也可使用同步整流来提高转换效率。图1所示为副边同步整流的正激转换器。www.kiaic.com/article/detail/3324.html 2022-01-24
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【电子精选】几种负电压电源设计方案-KIA MOS管
此经典电路优点比较明显，电路结构简单、极低干扰噪声、稳定性好；同时此电路也有缺点，输入交流电范围窄（一般是220VAC±5%），体积重量大；虽然此电路缺点明显目前还有一些应用采用此方案设计。此方案主要是利用变压器产生负电压在通过线性稳压器7905进行...www.kiaic.com/article/detail/3323.html 2022-01-24
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智能MOSFET驱动器提升数字电源控制器性能方案-KIA MOS管
电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3322.html 2022-01-24
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KPD8610A -100V-35A MOS管规格书 TO-252封装 原厂-KIA MOS管
KPD8610A使用先进的沟槽MOSFET技术提供优秀的RDS(ON)和栅电荷,用于广泛的其他应用。KPD8610A满足RoHS和绿色产品的要求，100%的EAS保证了完全的功能可靠性。www.kiaic.com/article/detail/3321.html 2022-01-21
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在开关电源设计中充分利用碳化硅的性能优势-KIA MOS管
在过去的几十年中，半导体行业已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET(parasitic parameters)，以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大...www.kiaic.com/article/detail/3320.html 2022-01-21
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【分享】实用的过欠压防反接多功能保护电路-KIA MOS管
在电网中，由于大功率负载关闭等动作，会导致供电电网电压产生很高的过压浪涌，这可能造成设备因为输入端过压浪涌而损坏；当设备输入电压过低时会导致设备工作不稳定，甚至损坏输入电源（电池过放会导致电池性能受损）。www.kiaic.com/article/detail/3319.html 2022-01-21
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PMOS-电池充电器的反向电压保护（二）-KIA MOS管
在此电路中，MP1 是反向电池检测器件，MP2 是反向隔离器件。利用 MP1 的源极至栅极电压来比较电池的正端子与电池充电器输出。如果电池充电器端子电压高于电池电压，则 MP1 将停用主传输器件 MP2。www.kiaic.com/article/detail/3318.html 2022-01-20