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结果: 找到相关主题 5117 个
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详解尖峰电流与PCB布局时的去耦电容-KIA MOS管
尖峰电流的形成：数字电路输出高电平时从电源拉出的电流Ioh和低电平输出时灌入的电流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下图的TTL与非门为例说明尖峰电流的形成：www.kiaic.com/article/detail/3361.html 2022-02-23
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几种延时电路原理详细解析-KIA MOS管
该电路由CD4060 组成定时器的时基电路，由电路产生的定时时基脉冲，通过内部分频器分频后输出时基信号。在通过外设的分频电路分频，取得所需要的定时控制时间。www.kiaic.com/article/detail/3360.html 2022-02-22
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【工程师必备】功放电路图文分享-KIA MOS管
功放，顾名思义，就是功率放大的缩写。与电压或者电流放大来说，功放要求获得一定的、不失真的功率，一般在大信号状态下工作，因此，功放电路一般包含电压放大或者电流放大电路没有的特殊问题，具体表现在：①输出功率尽可能大；②通常在大信号状态下工作；③非...www.kiaic.com/article/detail/3359.html 2022-02-22
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运算放大器线性应用的重点图文详解-KIA MOS管
本文重点讲解运算放大器的线性应用，线性应用重点掌握集成运放的传输特性、理想运放的特性，以及基本的同相放大器、反相放大器、加法电路、减法电路、积分电路和微分电路。www.kiaic.com/article/detail/3358.html 2022-02-22
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【图文】LLC谐振转换器中MOSFET如何避免出现故障？-KIA MOS管
通常情况下，电源设计人员通过增大开关频率来降低功耗和缩小系统尺寸。由于具有诸多优势如宽输出调节范围、窄开关频率范围以及甚至在空载情况下都能保证零电压开关，LLC 谐振转换器应用越来越普遍。但是，功率 MOSFET 出现故障一直是LLC谐振转换器中存在的一个...www.kiaic.com/article/detail/3357.html 2022-02-21
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【分享】MOS管波形异常的解决方法-KIA MOS管
MOS管波形在各拓扑结构中的波形都会不一样，对与PFC来说，MOS管波形见图2，这是因为工作在了CCM模式下的PFC MOS管波形，可以看到尖峰非常高，www.kiaic.com/article/detail/3356.html 2022-02-21
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巧妙区分PMOS管和NMOS管的记忆方法-KIA MOS管
箭头指向G极的是N沟道箭头背向G极的是P沟道MOS管的管脚有三个：源极S（source）、栅极G（Gate）和漏极（Drain），但是实际工程应用中，经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。对此，本文分享一个方法，可以让大家迅速记住这些东西而...www.kiaic.com/article/detail/3355.html 2022-02-21
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小电流MOS管KIA3415 SOT-23 资料-16V-4.0A免费送样-KIA MOS管
KIA3415采用了先进的沟道技术。提供卓越的R-DS（开）、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该装置适合作为负载开关或在PWM中应用。KIA3415是标准不含铅产品。www.kiaic.com/article/detail/3354.html 2022-02-18
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电阻最大电压如何计算？两种计算方法分享-KIA MOS管
导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻（Resistor，通常用“R”表示）是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的一种性质。导体的电阻通常用字...www.kiaic.com/article/detail/3353.html 2022-02-18
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关于功率半导体电流额定值和热设计分享-KIA MOS管
电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。www.kiaic.com/article/detail/3352.html 2022-02-18
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详解电路设计中零欧姆电阻的作用-KIA MOS管
零欧电阻，即电阻标值为0欧姆的电阻称为零欧电阻。是一种理想电阻，多用于PCB设计等方面。对于初学者可能会有一个疑问：既然阻止是零，那么和一根导线有什么区别？为什么不直接连起来？www.kiaic.com/article/detail/3351.html 2022-02-17
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SiC MOSFET栅极驱动电路和Turn-onTurn-off动作-KIA MOS管
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。www.kiaic.com/article/detail/3350.html 2022-02-17
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SiC MOSFET的桥式结构图文分析-KIA MOS管
20 世纪90 年代以来，碳化硅(silicon carbide，SiC)MOSFET 技术的迅速发展，引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注。与Si 材料相比，碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度。www.kiaic.com/article/detail/3349.html 2022-02-17
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三端稳压管KIA78L09 参数规格 图文资料 优质芯片-KIA MOS管
KIA78L09是单片固定式稳压器集成电路，适用于需要高达100mA电源电流的场合。三端稳压管KIA78L09特征1、输出电流高达100mA2、无需要外部零件3、热过载停机保护4、短路限流5、SOT89封装www.kiaic.com/article/detail/3348.html 2022-02-16