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mos管场效应管跨导检测，场效应管放大能力的检测
如图2-55所示，万用表置于R Xl00挡，将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，此时万用表指示出漏、源极间的电阻值，然后用手指触摸G极，人体的感应电压便加到栅极上，由于管子的放大作用，此时表针应有较大的偏转。表针摆动的幅度愈大，则标明管子的放大才能愈强...www.kiaic.com/article/detail/339.html 2018-03-27
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MOS构造优点是什么，特点有什么优势？工作原理是什么？
MOSFET构造，从纵剖面来看，栅极（栅区）、源极（源区）、漏极（漏区）大致排列在同不断线上，这样的构造被称为横向沟道(Ltcral Channel)构造。同时，栅极，精确一点说是“栅区”与漏区、源区的分界面大致也是平面状的，这种栅极构造称为平面栅极(Planar Gate)...www.kiaic.com/article/detail/341.html 2018-03-27
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功率mosfet管,功率mosfet管基本基础引用,详解！
功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／DC变换器)、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。www.kiaic.com/article/detail/342.html 2018-03-27
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MOSFET是如何工作的及详解
在常态下，MOSFET中并没有导电通道，在有了偏置电压时，在电场的作用下，源极（区）与栅极（区）之间就会形成导电通道，并且随着偏置电压的增加而加宽，导电能力增加直到最大（饱和导通）。这种MOSFET称为增强型MOS管(Enhancement-Mode MOSFET)，这是目前为止应...www.kiaic.com/article/detail/343.html 2018-03-27
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N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?MOS耗尽型的哪个常用
?耗尽型MOSFET( Depletion Mode MOSFET)与增强型MOSFET有着同样的栅极结构，所不同是，在常态下，它内部的（导电）沟道是天生的。换言之，常态下的耗尽型MOSFET是导通的，这一点与JFET相同，所不同的是二者的栅极结构。www.kiaic.com/article/detail/344.html 2018-03-27
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认识电路中的VMOS，辨别引脚符号
认识电路中的VMOS，辨别引脚符号www.kiaic.com/article/detail/345.html 2018-03-27
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双栅mos管场效应管及基本特征
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，双栅极MOSFET）是一种有两个栅极的四端器件，两个栅极都可以对沟道进行控制，目的是为了控制的便利性与独立性，尤其是有两个控制量的时候，就像一个水池装两个水龙头，可以更加方便地控制流量。www.kiaic.com/article/detail/348.html 2018-03-27
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N沟道,P沟道MOS管原理是什么？FET是如何工作的？
场效应管只靠“多子”米导电，换言之，只靠一种极性的载流子导电；而BJT（双极性晶体管）则同时靠“多子”和与之极性相反的“少子”停止导电，因而场效应管属于单极性晶体管，只是很少这样称谓它而已。场效应管的工作原理能够用水龙头来做类比，只是不晓得最初...www.kiaic.com/article/detail/350.html 2018-03-27
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mos管芯片-常用mos管芯片的应用封装结构分析-KIA MOS管
HEXMOS与管芯构造 为了增加水龙头的流量，水龙头能够将口径做得很大，这时分的水龙头一般称为“阀门”，当然也能够用多个小口径的水龙头来替代，只是工程上很少这样用。 功率晶体管恰恰采用的是第二种办法，用无数个“小晶体管”构成更大功率的晶体管，假...www.kiaic.com/article/detail/352.html 2018-03-27
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MOS的集成：CMOS、BICMOS/BIMOS、HV-CMOS这几个型号是有什么区别
MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半导体)是目前比拟成熟的半导休集成下艺之一，能够了解为集成电路中的横向构造MOSFET，为了进步开关速度，降低功耗，采用一个N沟道(NMOS)和一个P沟道(PMOS)的互补构造作为一个MOSFET...www.kiaic.com/article/detail/353.html 2018-03-27
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mos管电压规格是什么，什么是VMOS管栅极
对于VMOS而言，栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的，稍有不慎，就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿，而不管源极、漏极间的电压是高还是低。 除了槽栅结构的VMOS，零栅压、反相偏置、旁路情况下测得的击穿电压是大致相等的；对于...www.kiaic.com/article/detail/354.html 2018-03-27
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槽栅MOS器件优势是什么包括理论及实验动研究
槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散MOSFET)www.kiaic.com/article/detail/356.html 2018-03-27
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MOS 管封装有哪些-半导体器件封装是有什么区别-什么特点？
KIA封装小型化的趋向小仅仅是为了顺应轻薄产品的需求，更为重要的是进步性价比：封装本钱、物流（重量轻了、体积小了）、热阻、EMI（引线电感减小了）均有降落的趋向。www.kiaic.com/article/detail/358.html 2018-03-27
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判断测量mos管最有效的方法是什么-这里有几种经验
用万用表判别KIA器件VMOS的引脚和好坏判别VMOS的引脚需求以下几步，请留意，这是在你能肯定VMOS完好的状况下停止的判别，假如不晓得它的好坏，请先参考本节内容的第2局部。www.kiaic.com/article/detail/359.html 2018-03-27