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怎样读懂MOS管的参数，参数详解
1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流...www.kiaic.com/article/detail/247.html 2018-03-28
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MOS管当开关管是如何实用
OS管是电压驱动，按理说只需栅极电压到到开启电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但假如请求开关频率较高时，栅对地或VCC能够看做是一个电容，关于一个电容来说，串的电阻越大，栅极到达导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻...www.kiaic.com/article/detail/249.html 2018-03-28
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mos管mos管mos基础知识
1.MOS管驱动MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用于需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动电路，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求：1. 低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于
www.kiaic.com/article/detail/264.html 2018-03-28
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mos管的用途｜mos管的作用| mos管的原理
mos管的用途｜mos管的作用| mos管的原理
www.kiaic.com/article/detail/265.html 2018-03-28
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测试mos管和场效应管时的注意事项
测试mos管和场效应管时的注意事项
www.kiaic.com/article/detail/277.html 2018-03-28
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功率MOSFET:
功率MOSFET:
www.kiaic.com/article/detail/281.html 2018-03-28
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MOS存储器结构
MOS存储器结构
www.kiaic.com/article/detail/282.html 2018-03-28
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金半场效应晶体管MESFET｜器件结构：
金半场效应晶体管MESFET｜器件结构：
www.kiaic.com/article/detail/283.html 2018-03-28
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非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)
非晶硅太阳能电池( amorphous si solar cell)
www.kiaic.com/article/detail/289.html 2018-03-28
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串联式太阳能电池(tandem solar cell)
串联式太阳能电池(tandem solar cell)
www.kiaic.com/article/detail/295.html 2018-03-28
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MOS管选型要求？PMOS与NMOS的栅极解决方法
在CMOS中，阱可为单阱(single well)、双阱(twin well)或是倒退阱(retrograde well).双阱工艺有一些缺陷，如需高温工艺（超越1 050℃）及长扩散时间（超越8h）来到达所需2μm~31'm的深度，在这个工艺中，外表的掺杂浓度是最高的，掺杂浓度随着深度递加，为了...www.kiaic.com/article/detail/297.html 2018-03-28
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功率开关MOS管器件的驱动电路是什么原理？
功率开关器件在电力电子设备中占领着中心位置，它的牢靠工作是整个安装正常运转的根本条件。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子安装的重要局部。它对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的控制脉冲放大到足以驱动...www.kiaic.com/article/detail/298.html 2018-03-28
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mos器件漏极偏压详解原因 n沟道MOSFET
MOSFET按比例减少MOSFET尺寸的缩减在一开端即为一持续的趋向．在集成电路中，较小的器件尺寸可到达较高的器件密度，此外，较短的沟道长度町改善驱动电流（ID~1/L）以及工作时的特性，但是，由于器件尺寸的缩减，沟道边缘（如源极、漏极及绝缘区边缘）的扰动将变...www.kiaic.com/article/detail/300.html 2018-03-28
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MOS管损坏是什么原因 开关耗损详细原因
mos在控制器电路中的工作状态：开经过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开经过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流惹起的，这个忽略不计），还有雪崩能...www.kiaic.com/article/detail/301.html 2018-03-28