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STP14NF10场效应管代换,KIA6410A参数引脚图-KIA MOS管
KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，能够显著降低导通电阻，提供出色的开关性能；KIA6410A可替代STP14NF10在Led应用程序，网络系统和负载开关中应用。KIA6410A封...www.kiaic.com/article/detail/5127.html 2024-08-05
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直流电机过流保护电路图分享-KIA MOS管
交流220V电压经电源变压器降压整流得到直流电压Vin，此电压通过滤波电路输入到集成稳压器输入端，在集成稳压器输出端可得到1.25～37V直流电压。工作原理图及各部分电压波形如图2所示。www.kiaic.com/article/detail/5126.html 2024-08-05
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可调稳压电路,原理图,工作原理,电路设计分享-KIA MOS管
整流滤波后，直流电压由R1提供给调节管的底座以打开调节管。当V1导通时，电压通过RP和R2开启V2，然后V3也导通。此时，V1、V2和V3的发射极和集电极电压不再变化，其功能与稳压器完全相同。通过调节RP可以获得稳定的输出电压，R1、RP、R2和R3的比值决定了电路的输...www.kiaic.com/article/detail/5125.html 2024-08-05
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电机控制,电源mos管,KPS6110B场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-12A，在VGS=-10V时，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且坚固、绿色设备可用，在电源管理、直流电机控制中提高优越的性能；封装形式：SOT89，小巧、安装方便、散热良好。www.kiaic.com/article/detail/5124.html 2024-08-02
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耗尽层和空间电荷区,耗尽层近似详解-KIA MOS管
耗尽层，是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。空间电荷区也称耗尽层，在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N...www.kiaic.com/article/detail/5123.html 2024-08-02
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OTL电路图,原理图,OTL电路工作原理-KIA MOS管
OTL电路--单电源互补对称电路或称无输出变压器电路。OTL电路为推挽式无输出变压器功率放大电路。通常采用单电源供电，从两组串联的输出中点通过电容耦合输出信号。省去输出变压器的功率放大电路通常称为OTL(Output Transformer Less)电路。www.kiaic.com/article/detail/5122.html 2024-08-02
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12n10场效应管参数代换,防盗器专用mos管KIA6110A资料-KIA MOS管
KIA6110A采用先进的高单元密度沟槽技术，是性能出色的N沟道MOSFET，能够代换12n10参数100V，15A场效应管在防盗器、LED驱动、DC-DC电源、负载开关中应用；KIA6110A漏源击穿电压100V，漏极电流12A，RDS（ON）=90mΩ@VGS=10v，提供出色的RDSON和栅极电荷，具有超低...www.kiaic.com/article/detail/5121.html 2024-08-01
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nce01p30k,参数代换,KPD8610A电动车报警器专用mos管-KIA MOS管
KPD8610A采用先进的高密度沟槽技术，可以代换nce01p30k参数-100V，-30A场效应管，KPD8610A漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V，极低电阻RDS、超低栅电荷，降低功率损耗，提高系统效率，能够提供可靠而高效的电流开关功能，满足RoHS和...www.kiaic.com/article/detail/5120.html 2024-08-01
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电子镇流器电感式镇流器功率因数-KIA MOS管
电子镇流器的功率因数通常高于电感式镇流器。电子镇流器通过改变输入电流的频率和相位，来实现对照明设备的精确控制。这使得电子镇流器具有较高的功率因数。由于微处理器的精确控制，电子镇流器能够实时调整电流和电压之间的相位差，使功率因数接近1。www.kiaic.com/article/detail/5119.html 2024-08-01
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cmd5940参数,cmd5940场效应管代换,KIA23P10A原厂现货-KIA MOS管
KIA23P10A是一款能够替代cmd5940的P沟道MOSFET，采用先进的高单元密度沟槽技术，性能优越；漏源击穿电压为-100V，漏极电流为-23A，低导通电阻RDS（ON）值为78mΩ（在VGS=10V时为典型值），能够有效降低功耗；100%EAS保证、超低栅极电荷和出色的Cdv/dt效应下降，...www.kiaic.com/article/detail/5118.html 2024-07-31
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薄膜电容器详解,薄膜电容器的作用-KIA MOS管
薄膜电容(Film Capacitor)器又称塑料薄膜电容(Plastic Film Capacitor)。其以塑料薄膜为电介质。薄膜电容广泛被使用在模拟信号的交连，电源噪声的旁路(反交连)等地方。薄膜电容器是以金属箔当电极，将其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，从两端...www.kiaic.com/article/detail/5117.html 2024-07-31
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ao4410参数,ao4410场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
最大耐压：30V最大电流：18A导通电阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V最大反馈电容 (Crss)：542pFwww.kiaic.com/article/detail/5116.html 2024-07-31
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75nf75场效应管代换,75nf75场效应管参数,引脚图-KIA MOS管
KIA75NF75场效应管采用先进的技术，漏源击穿电压80V，漏极电流80A，低Rds开启，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，减少导电损耗、提升效率；无铅和绿色设备的特点，符合环保要求；高雪崩电流，在运行时承受更高的冲击负载，提供更稳定和可靠的性能；在电动车控制器、逆变器...www.kiaic.com/article/detail/5115.html 2024-07-30
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hy4008场效应管参数代换,KIA2808A参数引脚图规格书-KIA MOS管
KIA2808A是一款能够代换hy4008场效应管80V，200A参数的高性能功率器件，KIA2808A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，RDS（开启）=4.0m?（典型值），减小损耗提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环...www.kiaic.com/article/detail/5114.html 2024-07-30