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电动车防盗报警器驱动电路图,工作原理详解-KIA MOS管
以输入 48V 为例。PWM1 和 PWM2 为两个输入控制信号，其实是两个音频信号。两个信号不能同时为高电平，否则会造成短路。www.kiaic.com/article/detail/5044.html 2024-06-26
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ldo和dcdc的区别,应用,ldo和dcdc的优缺点-KIA MOS管
LDO外围器件少，电路简单，成本低；DC-DC外围器件多，电路复杂，成本高；LDO负载响应快，输出纹波小；DC-DC负载响应比LDO慢，输出纹波大；LDO效率低，输入输出压差不能太大；DC-DC效率高，输入电压范围宽泛；www.kiaic.com/article/detail/5043.html 2024-06-26
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电动车防盗报警器专用,KPD7910A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
电动车防盗报警器专用MOS管KPD7910A漏源击穿电压-100V，漏极电流-28A，RDS(on) = 60mΩ(typ)@VGS=10V，具有极低通阻RDS(on)，开关速度快，优秀的QgxRDS产品（FOM）、符合JEDEC标准，是一款高效优质的器件。www.kiaic.com/article/detail/5042.html 2024-06-25
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反激式开关电源,rcd吸收电路工作原理-KIA MOS管
当MOS关断时，谐振电压波形在B点产生电压尖峰，此时UB高于UA（初始时刻电容C两端无电压差），则UB通过二极管D向电容C充电。Uds电压升高的本质是初级绕组漏感瞬变电流感应产生的电压（初级绕组漏感存储的磁能）向MOS管的寄生电容Coss进行充电，寄生电容Coss两端...www.kiaic.com/article/detail/5041.html 2024-06-25
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碳化硅mos管的优缺点,驱动电路设计分析-KIA MOS管
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。碳化硅器件有更耐高压，在开关频率、散热能力和损耗等指标上也远好于硅基器件。www.kiaic.com/article/detail/5040.html 2024-06-25
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无线充MOS管,ncep15t14参数代换,2915场效应管-KIA MOS管
无线充专用MOS管KNB2915A采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压150V，漏极电流130A，RDS（ON）=10mΩ（典型值）@VGS=10V，具有极低导通电阻RDS（on）和优秀的Qg x RDS（ON）产品（FOM），符合JEDEC标准，能够匹配ncep15t14参数代换使用，KNB2915A封装形式：TO-263，...www.kiaic.com/article/detail/5039.html 2024-06-24
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反激开关电源环路设计,实例方案-KIA MOS管
在环路设计时，Loop1、2、3的环路面积要尽量小，在Loop1中，走线还应尽量粗以优化效率，在Loop3中，VDD电容C3应紧贴芯片。在GND走线设计时，辅助绕组应直接连接到输入电容的地，如Line1所示；VDD电容C3及FB下阻R5应先连接到芯片的GND管脚，再连接到输入电容的地...www.kiaic.com/article/detail/5038.html 2024-06-24
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开关电源环路补偿设计,图文分析-KIA MOS管
设计补偿部分，先确定目标带宽，然后再设计补偿部分，使在目标带宽时的相位裕量大于45°，幅值裕度不管用上面哪种补偿方式都是自动满足的，所以设计时一般不用特别考虑。在用Topswitch设计的反激电源中，目标带宽除受到一般反激电源的几个限制外（带宽要小...www.kiaic.com/article/detail/5037.html 2024-06-24
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电机控制器MOS管,9130场效应管,KNX9130B参数资料-KIA MOS管
电机控制器专用MOS管KNX9130B采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低导通损耗，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管等特性。www.kiaic.com/article/detail/5036.html 2024-06-21
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反激式开关电源mos管电压电流波形详解-KIA MOS管
左图为MOS管驱动电路相关波形的示意图（电流不连续模式DCM），其中Uin对应上图的V1，Ugs对应上图A点电压波形。右图是某反激开关电源实测波形，仅体现了初级绕组电流及MOS管DS压降。www.kiaic.com/article/detail/5035.html 2024-06-21
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反激式开关电源波形,mos管vds波形分析-KIA MOS管
DCM和CCM的判断，并非只是单纯按照初级电流是否连续来进行判断，而是要根据初，次级的电流合成来判断的。只要初，次级电流不是同时为零，那就是CCM模式。二如果存在初，次级电流同时为零的状态，那就是DCM模式。如果是介于两者之间的，就是BCM模式。www.kiaic.com/article/detail/5034.html 2024-06-21
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锂电池保护板mos管,042N10参数场效应管代换,KCB3010A资料-KIA MOS管
KCB3010A是采用先进SGT技术的N沟道增强型功率MOSFET，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能和增强雪崩能量，漏源击穿电压100V，漏极电流120A，低导通电阻（典型值）RDS（导通）=4.0mΩ；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高等出色性能...www.kiaic.com/article/detail/5033.html 2024-06-20
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经典脉冲宽度调制电路,原理图分享-KIA MOS管
电路是利用555时基芯片制作的PWM调光电路，因555芯片价格低廉，外部原件少，可靠性高等优点，应用场合非常广泛。经制作测试此电路完全可以调整电机转速，LED亮度，不需要调试。www.kiaic.com/article/detail/5032.html 2024-06-20
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脉冲频率调制和脉冲宽度调制分析、区别-KIA MOS管
脉冲宽度调制（简称脉宽调制）是在不改变频率的情况下，通过调节脉冲的占空比来调节功率管的开关时间；而脉冲频率调制（脉频调制）模式是在不改变脉冲占空比的情况下，通过调节脉冲频率来控制开管的开启时间。两种调制模式各有其优缺点。www.kiaic.com/article/detail/5031.html 2024-06-20