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结果: 找到相关主题 5081 个
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9125mos管参数引脚,40A 250V,KNP9125A场效应管-KIA MOS管
KNP9125A场效应管采用专有新型平面技术，最高承受电压可达250V，漏极电流最大值为40A，RDS（ON）=80mΩ（典型值）@VGS=10V；具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管特性，高效优质，适用于逆变器开关电源、DC-DC转换器、SMPS和电机控制等，封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5057.html 2024-07-02
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MOS管快速关断,加速mos管关断电路-KIA MOS管
左图在控制端从低电平往高电平切换时，Vbe>0，Q2关断，充电电流从二极管D流入，Q1开启；右图在控制端从高电平往低电平切换时，G极电平不会瞬间变化，此时Vbe<-0.7V,Q2导通，Q2快速将电荷从G极汲取走，使G极电平快速下降，达到Q1快速关断的目的。www.kiaic.com/article/detail/5056.html 2024-07-02
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影响MOSFET阈值电压的因素详解-KIA MOS管
衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如，普通的MOSFET衬底材料为硅晶片，但在高温、高电场下易发生击穿，从而降低了阈值电压。因此，一些高温处理的MOSFET采用了其他衬底材料，如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等，能够提高MOSFET的阈值电压和稳定性。www.kiaic.com/article/detail/5055.html 2024-07-02
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车载逆变器mos管专用,KNH9120A场效应管,cs50n20参数代换-KIA MOS管
KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率。封装形式：TO-3P，便于散热。KNH9120A能够代换...www.kiaic.com/article/detail/5054.html 2024-07-01
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加速mos管关断,MOS管加速关断电路方法-KIA MOS管
MOSFET的关断时间与其栅极电容（Cgs）有关。减小栅极电容可以减少充放电时间，从而加速关断过程。这可以通过优化布局、使用更小的栅极面积或选择具有更低栅极电容的器件来实现。www.kiaic.com/article/detail/5053.html 2024-07-01
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如何提高MOSFET切换速度,开关速度-KIA MOS管
提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流，增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关断过程。减小栅极驱动电阻Rg可以提供更大的瞬态电流，从而加快MOSFET的开关速度。而驱动电路是控制MOS管开关的关键。选择合适的驱动电路可以提高MOS管的开关速度。例如,采用高速驱...www.kiaic.com/article/detail/5052.html 2024-07-01
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仪器仪表专用,fqpf4n90c参数代换,KNF4390A场效应管-KIA MOS管
KNF4390A采用专有新型平面技术，漏源击穿电压900V，漏极电流4A，能够承受高达900伏特的电压，适用于需要高耐压的应用场景，RDS（ON）=3.6Ω（典型值）@VGS=10V，低导通电阻有助于减少功率损耗和发热，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，提高效率...www.kiaic.com/article/detail/5051.html 2024-06-28
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dcdc隔离电源电路图，原理图分享-KIA MOS管
如果不太懂电源设计，又需要多路电源隔离输出，那么这个电路方案肯定能用的上，调试简单，拓扑也简单，绕变压器不需要算气隙，直接计算匝数就可以了，简单实用。实际使用中要注意三极管的选型，它必须要能够承受2倍的工作电压。www.kiaic.com/article/detail/5050.html 2024-06-28
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DCDC电源PCB布局，PCB设计要点-KIA MOS管
.在布局之前首先需要查找对应的电源IC手册，一般芯片手册里面会包含有最基本的电源电压电流信息和管脚信息，以及layout guide，如果存在layout guide则按照里面的样式进行布局布线的复刻即可，因为layout guide是经过验证的，通常能使芯片的工作状态达到最佳。...www.kiaic.com/article/detail/5049.html 2024-06-28
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7150场效应管,20A 500V,KNH7150A参数引脚图-KIA MOS管
KNH7150A场效应管采用专有新平面技术，漏源击穿电压500V，漏极电流20A，RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V，具有低栅极电荷最小化开关损耗、快恢复体二极管，是一款性能出色的器件，7150场效应管在适配器充电器、开关电源、液晶面板电源应用中表现出色，可与20N50场...www.kiaic.com/article/detail/5048.html 2024-06-27
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常用仪表放大器,运算放大器电路图-KIA MOS管
第一级电路让共模信号有效地通过，没有任何放大或衰减，第二级差动放大器将共模信号去除。由于额外提升了差分增益，虽然电阻器的匹配状况并没有改善，但是系统的有效共模抑制能力却得到了增强。www.kiaic.com/article/detail/5047.html 2024-06-27
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运算放大器放大倍数计算公式分享-KIA MOS管
应用运算放大器时，需要根据具体电路计算放大倍数A和输出电压Vout等参数。以下是几个常用的计算公式：A = -(Rf / Rin)Vout = -A(Vin - Vref)Vout = A(Vin+ - Vin-)www.kiaic.com/article/detail/5046.html 2024-06-27
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28n50场效应管参数,引脚图,20N50代换,24N50代换-KIA MOS管
漏源电压：500V漏极电流：28A漏源通态电阻(RDS(on))：0.16Ω栅源电压：±30Vwww.kiaic.com/article/detail/5045.html 2024-06-26
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28n50场效应管参数,20N50,24N50场效应管代换-KIA MOS管
KIA28N50场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流28A，RDS（on）（典型值）=0.16mΩ@Vgs=10V，具有低栅极电荷、低Crss，最小化开关损耗，以及100%雪崩Aested、提高dv/dt能力、符合RoHS，良好的开关特性能够在车载逆变器、LED电源、手机充电器、备用电源等应用中表现...www.kiaic.com/article/detail/4547.html 2024-06-26