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无线充专用MOS管KCM9860A是一款高压器件,漏源击穿电压600V,漏极电流47A;具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、二极管用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS(ON)、隔离安装孔减少了安装硬件等优异特性;封装形...
www.kiaic.com/article/detail/5030.html 2024-06-19
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首先看CMOS反相器的电路,不同的是,多了一个CL,负载电容。无论是什么CMOS门电路,其输出一定是要驱动一个负载的,而对于CMOS门电路来说一般负载指的是金属连线与地之间的电容,以及下一级电路输入栅极与地之间的电容。
www.kiaic.com/article/detail/5029.html 2024-06-19
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理想情况下,CMOS反相器在稳态工作时PMOS与NMOS不会同时导通,这就意味着稳态时电源与地之间没有通路,不会形成通路电流,静态功耗为零,可实际电路里总有一些微弱的泄漏电流Istat流过源或漏与衬底之间的反偏二极管,如图所示,
www.kiaic.com/article/detail/5028.html 2024-06-19
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电源适配器mos管KNX6140S是一款N沟道增强型硅栅极功率MOSFET,漏源击穿电压400V,漏极电流11A,RDS(开启)典型值=0.53Ω@VGS=10V,较低的导通电阻,可最大限度地减少导通损耗,具有超低栅极电荷,出色的改进的dvdt功能,以及高坚固性、快速切换等特性,100%雪...
www.kiaic.com/article/detail/5027.html 2024-06-18
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如图1所示,采样电阻Rs、运放构成一个比较放大电路,MOS管输出回路的电流经Rs转换成电压后,反馈到运放反相端实现Vgs,从而MOS管输出一定的电流。当给定一个电压VREF时,如果Rs上的电压小于VREF,也就是运放的-IN电压小于+IN,运放加大输出,使MOS导通程度加深...
www.kiaic.com/article/detail/5026.html 2024-06-18
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电源和负载:为用电部分供电是电源(AC/DC电源和电池)的功能。一般来说,与它们相连并接受其供电的部分被称为负载。直流电子负载就是通过控制内部功率(MOSFET)或晶体管的导通量(量占空比大小),依靠功率管的耗散功率消耗电能的设备。
www.kiaic.com/article/detail/5025.html 2024-06-18
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调光专用MOS管KIA4603A漏源击穿电压30V,漏极电流7A,RDS(开)=14.5mΩ(典型值)@VGS=10V;具有超低栅极电荷,出色的Cdv/dt效应下降,最大限度地减少导电损耗,最小化开关损耗等特性,满足RoHs和绿色产品的要求,确保led调光器的性能稳定可靠。
www.kiaic.com/article/detail/5024.html 2024-06-17
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接收一个调制信号,该信号的幅度随时间变化。根据调制信号的幅度变化,调整输出脉冲的频率,使其与调制信号的幅度变化相对应。保持脉冲宽度不变,同时调整脉冲的频率以实现调制。
www.kiaic.com/article/detail/5023.html 2024-06-17
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这种击穿类型发生在源漏的耗尽层相接时,此时源端的载流子注入到耗尽层中,被耗尽层中的电场加速达到漏端,导致电流急剧增大。
www.kiaic.com/article/detail/5022.html 2024-06-17
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KNX2912A场效应管采用先进的沟槽技术,漏源击穿电压120V,漏极电流130A,提供优异的RDS(ON),在VGS=10V时的RDS(ON)仅为6.0mΩ(典型值),低栅极电荷,在储能电源、电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种领域中展现出优异的性能。
www.kiaic.com/article/detail/5021.html 2024-06-14
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RC并联电路加上一定频率的正弦波信号,则电阻上的电流与电压同相,Ir=U/R,电容上的电流超前于电压1/4周期,电流的大小Ic=U/Rc,两个电流合在一起,电流大小I=(Ir^2+Ic^2)^0.5(在这里,∧2表示平方,^0.5表示开平方),电流/的相位和大小可用直角三角形来形象...
www.kiaic.com/article/detail/5020.html 2024-06-14
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上图中即为一个简单的LED恒流电源电路,采用阻容降压方案来实现,输出电流的大小只取决于电容C1的容值,根据电容对交流电流的容抗来达到输出恒定电流的目的,而输出电压的大小取决于负载,负载电阻越大,输出电压越高,负载开路时最大( DC 310V),反之输出电...
www.kiaic.com/article/detail/5019.html 2024-06-14
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KNX3403C场效应管是一款性能优越的器件,漏源击穿电压30V,漏极电流80A,具有DFN3*3、DFN5*6以及TO-252封装的RDS(ON)分别为4.3mΩ和4.5mΩ(典型值)@VGS=10V,体现了极低导通电阻,以及低Crss特性,确保稳定性和可靠性,快速切换能力和改进的dv/dt能力在PWM...
www.kiaic.com/article/detail/5018.html 2024-06-13
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电路的工作是基于在交流电路中,电容存在容抗XC也有”镇流作用”的原理。另外电容消耗无功功率,不发热;而电阻则消耗有功功率,会转化为热能耗散掉,所以镇流电容比镇流电阻,能节省一部分电能,并能设计成将LED灯直接接到市电~220V上,使用更为方便。
www.kiaic.com/article/detail/5017.html 2024-06-13