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mos管电容计算公式,mos管电容计算详解-KIA MOS管
MOS电容的容量可以通过使用两个公式来计算，即C=εoA/d，其中C为电容值，εo为真空介电常数，A为极板的面积，d为极板之间的距离。www.kiaic.com/article/detail/4975.html 2024-05-23
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整流桥如何接线？整流桥接线方法-KIA MOS管
交流输入：连接到整流桥的两个交流输入引脚。正直流输出：连接到整流桥的正直流输出引脚。负直流输出：连接到整流桥的负直流输出引脚。电源负极：连接到整流桥的负极，通常与负直流输出引脚相同。电源正极：连接到整流桥的正极，通常与正直流输出引脚相同。www.kiaic.com/article/detail/4974.html 2024-05-23
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7P03参数引脚,7P03场效应管,PMOS管KIA7P03A-KIA MOS管
KIA7P03A功率场效应管采用先进的高密度沟槽技术，拥有优异的性能表现，电流能力为-7.5A，电压为-30V，典型的导通电阻RDS（ON）为18mΩ，在栅源电压为10V时；7P03场效应管具有超低的栅极电荷，可以在电路中发挥重要作用，还具有优良的CDV/dt效应递减，采用绿色环...www.kiaic.com/article/detail/4973.html 2024-05-22
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MOS管热阻计算、测量方法图文分享-KIA MOS管
MOS管热阻的计算公式：Rth = (Tj- Ta) / P。其中，Rth为MOS管的热阻，单位为°C/W；Tj为MOS管的结温，单位为°C；Ta为MOS管的环境温度，单位为°C；P为MOS管的功率损耗，单位为W。www.kiaic.com/article/detail/4972.html 2024-05-22
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如何测量mos的内阻,mos管内阻测量方法-KIA MOS管
1、给mos管gs两端加上10V电压，导通mos管。2、给mos管DS通过1A电流，可使用带限流的电源，把限流调到1a，电压调到0.1V。3、用高精度万用表测量（六位半）测量MOS管DS端电压V。www.kiaic.com/article/detail/4971.html 2024-05-22
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9435参数及引脚,9435场效应管参数,9435mos管-KIA MOS管
9435场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，RDS（开）=50mΩ（典型值）@VGS=-10V，超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降提升整体性能。9435mos管封装形式：SOP-8，散热效果良好，适用于各种应用场景。www.kiaic.com/article/detail/4970.html 2024-05-21
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共源极和共漏极电路的区别,特点-KIA MOS管
共源放大电路特点：电压增益高，反向放大，输入阻抗大。共漏放大电路特点：电压为1，同向放大，输入阻抗大，输出阻抗低（一般做阻抗变换用）。www.kiaic.com/article/detail/4969.html 2024-05-21
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zvs升压电路分享,mos管制作zvs电路-KIA MOS管
4节锂电池为14.8V，电流以最大1C的放电率来算为2.6A，功率理论可以做到38.48W（不包括损耗）。变压器按照14比230来绕，不过不能带动某些负载如电动机等等，开关电源可以。www.kiaic.com/article/detail/4968.html 2024-05-21
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4953场效应管参数,4953参数引脚图,PmosKIA4953-KIA MOS管
KIA4953场效应管具有出色性能，漏源击穿电压-30V，漏极电流-5.3A，表现出优异的电气特性；当Vgs为-10V时，其RDS(on)为54mΩ，而当Vgs为-4.5V时，其RDS(on)为84mΩ，显示出在不同工作条件下的电阻特性。www.kiaic.com/article/detail/4967.html 2024-05-20
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mos管驱动继电器电路图分享-KIA MOS管
继电器的线圈为感性负载，在通电和断电的瞬间，会产生反向电动势，通电时这个电动势与电源方向相同，上正下负，电源可以吸收绝大部分。www.kiaic.com/article/detail/4966.html 2024-05-20
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mos管驱动电流多大,mos管驱动电流计算-KIA MOS管
驱动电流是指用于控制MOS管开关过程的电流。在MOS管的驱动过程中，需要将足够的电荷注入或抽出MOS管的栅极，以改变MOS管的导通状态。www.kiaic.com/article/detail/4965.html 2024-05-20
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7306MOS管,7306场效应管参数引脚图,SOP-8封装-KIA MOS管
7306场效应管采用先进的高电池密度沟槽技术，漏源击穿电压60V，漏极电流22A，RDS（ON）= 5.5mΩ（典型值）@VGS =10V，表现出卓越的导通能力，超低栅极电荷，在工作时能够更加高效，优良的Cdv/dt效应下降，提升整体性能，封装形式：SOP-8，散热效果良好，使用安...www.kiaic.com/article/detail/4964.html 2024-05-17
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mos管尖峰吸收电路,MOS管开关电路-KIA MOS管
由于每次寄生电容放电以及二极管的反向恢复电流会产生尖峰电流，现去掉二极管，并在MOS管栅极和源极接入电容C2和电阻R6，使得每次低电平来时，寄生电容放电给电容C2充电，以此削峰。www.kiaic.com/article/detail/4963.html 2024-05-17
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mos管短路保护电路图文分享-KIAMOS管
当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通（当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系），因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。www.kiaic.com/article/detail/4962.html 2024-05-17