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电动车控制器mos管,80V 70A场效应管,KIA3508A现货-KIA MOS管
KIA3508A是一款具有高可靠性和坚固性的场效应管，漏源击穿电压80V，漏极电流70A，RDS（开）为11mΩ（在VGS=10V时的典型值），在100%雪崩测试下表现出色，展现出稳定可靠的特性；为电动车控制器、锂电池保护板以及逆变器系统的电源管理提供了强大支持。www.kiaic.com/article/detail/5003.html 2024-06-05
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电动车控制器线路图,电动车控制器接线图-KIA MOS管
控制器电源线粗红色的是正极，粗黑色的是负极。接好后打开钥匙，再量量电源电压和电门锁线的电压是不是正常，然后在分别量转把线的电源电压5V左右红黑线，霍尔线的电源电压5V左右红黑线别忘了万用表打到直流档上。www.kiaic.com/article/detail/5002.html 2024-06-05
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升压降压电路,升压电路和降压电路的区别-KIA MOS管
升压电路的工作原理是利用交流电源的周期性变化产生高电压脉冲，然后通过电感和电容进行储存和滤波，最终输出所需的高电压。降压电路通常采用降压电路结构，由开关元件和变压器组成，适用于将输入电压变低为输出电压的应用。www.kiaic.com/article/detail/5001.html 2024-06-05
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功放场效应管,功放MOS管,6165场效应管参数资料-KIA MOS管
KNF6165B场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，符合RoHS标准，适用于音响功放、适配器、充电器和SMPS备用电源等多种应用场景，RDS（ON）典型值为0.75Ω，在VGS为10V时性能出色，低栅极电荷的最小化设计有效降低开关时的损耗，配备快速恢复体二极管，在电路切...www.kiaic.com/article/detail/5000.html 2024-06-04
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车载逆变器电路,车载逆变器过流保护电路-KIA MOS管
为了抑制该瞬间冲击电流，会在车载逆变器的DC/AC逆变电路的输出端AC1设置有抑制浪涌电流的NTC电阻Rt，如附图1所示。在上电工作前NTC电阻Rt为常温，其具有较大的电阻值，从而能够降低启动冲击电流;此后随着NTC电阻Rt温度的升高，其电阻值迅速下降，使得该NTC电阻...www.kiaic.com/article/detail/4999.html 2024-06-04
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半导体封装工艺流程图文分享-KIA MOS管
晶圆经过测试后，首先要经过背面研磨，以达到所需厚度；然后进行晶圆切割，将晶圆切割成芯片；选择质量良好的芯片，通过芯片贴装工艺将芯片连接到引线框架或基板上；之后通过引线键合的方式实现芯片与基板之间的电气连接；最后使用环氧树脂模塑料进行密封保护。...www.kiaic.com/article/detail/4998.html 2024-06-04
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光伏逆变器,锂电保护板mos管,1906场效应管现货-KIA MOS管
KNP1906B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7m?，在电源、光伏逆变器和锂电保护板等应用中具有出色的性能表现；1906场效应管采用无铅和绿色材料制造，符合环保要求，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率，高雪崩电流，保...www.kiaic.com/article/detail/4997.html 2024-06-03
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光伏逆变器电路图,光伏逆变器电路原理-KIA MOS管
这里使用单稳态/非稳态多谐振荡器IC CD4047来产生开关脉冲。该 IC 工作功耗低，采用 14 引脚双列直插式封装。在引脚 13 处，引脚 10 处的振荡的 1/2 作为 Q，引脚 11 处的振荡作为 Q'，提供最大振荡输出 F。每个输出引脚的占空比为 50%。www.kiaic.com/article/detail/4996.html 2024-06-03
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mosfet制造工艺,场效应管制造工艺介绍-KIA MOS管
1.晶圆制备硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO?)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。www.kiaic.com/article/detail/4995.html 2024-06-03
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储能电源,充电桩mos管3308,KNB3308A场效应管参数-KIA MOS管
KNB3308A场效应管是一款漏源击穿电压80V，漏极电流80A的出色器件，RDS（ON）值为6.2mΩ（在VGS=10V时为典型值），优异的低导通电阻特性能够降低导通损耗，还具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性。www.kiaic.com/article/detail/4994.html 2024-05-31
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MOS管开关电路,开关电路图实例分析-KIA MOS管
导通条件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是为了给G、S之间创造一个Vgs电压，不需要去关心G、D之间的电压关系（只要没有达到击穿电压）。另外S极不一定需要接地，只需要满足Vg与Vs之间的一个电势差大于Vth，MOS管依然能够起到一个开关作用。www.kiaic.com/article/detail/4993.html 2024-05-31
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MOS管的开关特性,MOS管开关电路的连接方法-KIA MOS管
当栅极（G）接高电平时，源极（S）和漏极（D）之间的导电通道被打开，电流可以通过；当栅极接低电平时，导电通道被关闭，电流无法通过。因此，通过控制栅极的电平，可以实现MOS管开关的开关功能。www.kiaic.com/article/detail/4992.html 2024-05-31
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逆变电源,逆变器防反接保护电路分享-KIA MOS管
当电池极性未接反时，D正偏导通，Q的GS极由电池正极经过F、R1、D回到电池负极得到正偏而导通。Q导通后的压降比D的压降小得多，所以Q导通后会使D得不到足够的正向电压而截至;www.kiaic.com/article/detail/4991.html 2024-05-30
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逆变器短路保护,逆变器的过流短路保护电路-KIA MOS管
R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么理解，高压电流的大小基本上决定了输出功率的大小，所以用R5检测高压电流的大小。图中LM339的两个比较器单元分别用来做过流和短路检测。www.kiaic.com/article/detail/4990.html 2024-05-30