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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 910 个

  • MOS管死区时间的分析、设置图文详解-KIA MOS管

    出现死区的主要原因是因为MOS管的源极和栅极之间的结电容。现在在栅极加上一个门电路。当门电路输出的信号跳变的瞬间,电流是非常大的,会导致MOS管发热,所以需要在门电路后面再串联一个电阻,这个电阻很小,一般在10Ω左右。

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    www.kiaic.com/article/detail/2969.html         2021-08-05

  • 晶体二极管开关转换过程图文详解-KIA MOS管

    在数字电子技术门电路中,在脉冲信号的作用下,二极管时而导通,时而截止,相当于开关的“接通”和“关断”。二极管由截止到开通所用的时间称为开通时间,由开通到截止所用的时间称为关断时间。研究其开关特性,就是分析导通和截止转换快慢的问题,当脉冲信号频...

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    www.kiaic.com/article/detail/2963.html         2021-08-03

  • 电路分析:多级放大电路图文详解-KIA MOS管

    多级放大电路多级放大电路,其实也是由多个单个三极管构成的,把单个三极管放大电路进行级联,就能组成多级放大电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/2918.html         2021-07-13

  • 详解光电晶体管及光电晶体管电路-KIA MOS管

    什么是光电晶体管?光电二极管可以产生光电流,因为它的结暴露在入射光下。除了暴露的半导体材料是双极结型晶体管 (BJT)的基极之外,光电晶体管的功能与此类似。

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    www.kiaic.com/article/detail/2913.html         2021-07-09

  • 什么是MOSFET驱动器|详解-KIA MOS管

    MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

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    www.kiaic.com/article/detail/2909.html         2021-07-08

  • 放大电路分析:三极管动态分析详解-KIA MOS管

    三极管动态分析在三极管放大电路中有输入信号时的工作状态称为动态。

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    www.kiaic.com/article/detail/2907.html         2021-07-07

  • 三极管的微变等效电路图文分析详解-KIA MOS管

    电路分析:三极管的微变等效电路将非线性器件线性化在小信号变化量的条件下,用线性电路来描述三极管非线性特性,称为微变等效电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/2906.html         2021-07-07

  • 电路结构-半桥全桥反激推挽拓扑详解-KIA MOS管

    1. 单端正激式单端:通过一只开关器件单向驱动脉冲变压器.正激:脉冲变压器的原/付边相位关系,确保在开关管导通,驱动脉冲变压器原边时,变压器付边同时对负载供电。

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    www.kiaic.com/article/detail/2904.html         2021-07-06

  • 逆变器工作原理详解|好文必看-KIA MOS管

    输入部分有3个信号,12V直流输入VIN、工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供,ENB电压由主板上的MCU提供,其值为0或3V,当ENB=0时,Inverter不工作,而ENB=3V时,Inverter处于正常工作状态;

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    www.kiaic.com/article/detail/2897.html         2021-07-02

  • P-NMOS管H桥原理图文详解-KIA MOS管

    所谓的 H 桥电路就是控制电机正反转的。下图就是一种简单的 H 桥电路,它由 2 个 P型场效应管 Q1、Q2 与 2 个 N 型场效应管 Q3、Q3 组成,所以它叫 P-NMOS 管 H 桥。

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    www.kiaic.com/article/detail/2895.html         2021-07-01

  • 三极管用于开关的注意事项​详解-KIA MOS管

    图1的左边NPN管,蜂鸣器接在三极管的集电极,驱动信号是常见的3.3V或5VTTL,高电平导通,电阻按照经验法可以取4.7K。如左电路开通时假设为高电平5V,基极电流Ib=(5V-0.7V)/4.7K=0.9mA,可以使三极管完全饱和,但如果是右边电路用的是PNP管,蜂鸣器同样接在三极...

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    www.kiaic.com/article/detail/2889.html         2021-06-29

  • igbt特性分析|igbt开关特性详解-KIA MOS管

    (1)转移特性用来描述IGBT集电极电流iC与栅一射电压UGE之间的关系,如图图1(a)所示。 它与功率MOSFET的转移特性类似。开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅一射电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/2882.html         2021-06-25

  • 超快恢复二极管整流桥开关模块详解-KIA MOS管

    FRED整流桥开关模块是由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连成后共同封装在一个PPS(加有40%玻璃纤维)外壳内制成, 模块内部的电联接方式如图1所示。图中VD1~VD6为六个芯片, 相互联成三相整流桥、晶闸管串接在电桥的正输出端上。

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    www.kiaic.com/article/detail/2871.html         2021-06-21

  • 详解蜂鸣器及蜂鸣器驱动电路图-KIA MOS管

    蜂鸣器是一种一体化结构的电子讯响器,采用直流电压供电,广泛应用于计算机、打印机、复印机、报警器、电子玩具、汽车电子设备、电话机、定时器等电子产品中作发声器件。蜂鸣器主要分为压电式蜂鸣器和电磁式蜂鸣器两种类型。

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    www.kiaic.com/article/detail/2865.html         2021-06-17

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