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结果: 找到相关主题 910 个
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什么是MOSFET跨导及夹断区？详解-KIA MOS管
相比于晶体管，MOSFET这个管子相对来说比较复杂，它的工作过程理解起来还是有一定难度的。那么这其中最难以理解的部分，可能还是MOS管开关损耗的理解。相比导通损耗和续流损耗，MOS管开通和管断的过程要复杂得多。www.kiaic.com/article/detail/3180.html 2021-11-17
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计算IGBT驱动电流及驱动功率详解-KIA MOS管
在选择IGBT驱动芯片时，很重要的一步就是计算IGBT所需要的最大驱动电流，在不考虑门极增加Cge电容的条件下，可以把IGBT驱动环节简化为一个RLC电路，如下图阴影部分所示www.kiaic.com/article/detail/3179.html 2021-11-16
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电源管理概念、分类、工作方式详解-KIA MOS管
电源管理是指如何将电源有效分配给系统的不同组件。电源管理对于依赖电池电源的移动式设备至关重要（比如：手机、笔记本电脑）。一个优秀的电源管理系统能够通过降低组件闲置时的能耗将电池寿命延长2~3倍，电源管理技术是集电力变换，现代电子，网络组建，自动...www.kiaic.com/article/detail/3177.html 2021-11-16
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光耦合器电路设计详解-KIA MOS管
集电极电流是将流到光耦合器晶体管侧的集电极的电流。另一方面，正向电流是流到光耦合器二极管侧的电流。基本上，二极管侧通过器件电流传输比链接到晶体管侧。除了这些信息之外，光耦合器电路的设计就像设计普通电路一样，其中使用的是KVL，KCL，欧姆定律等。www.kiaic.com/article/detail/3174.html 2021-11-15
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什么是理想电压源和理想电流源？详解-KIA MOS管
内阻等于零的电压为理想电压源,理想电压源能在不管什么负载,不管负载大小,也不管负载是否在变化,都能保持电压不变。内阻为无限大的电流源为理想电流源.理想电流源能在上述条件下,都能保证输出电流恒定。www.kiaic.com/article/detail/3172.html 2021-11-12
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场效应管G极电压可以大于D极电压吗？详解-KIA MOS管
N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？答案：完全是可以的；场效应管完全导通时其G极电压就比D极电压高。www.kiaic.com/article/detail/3155.html 2021-11-04
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入门必看|隔离电源和非隔离电源详解-KIA MOS管
在产品设计时，倘若没有考虑应用环境对电源隔离的要求，产品到了应用时就会出现因设计方案的不当导致的系统不稳定，甚至出现高压损坏后级负载的情况，以及出现危害人身财产安全的情况。因此产品设计是否需要隔离至关重要。www.kiaic.com/article/detail/3133.html 2021-10-26
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收藏|常用的防反接电路图文详解-KIA MOS管
一、最简单的在电路中串入一只二极管。优点：电路简单，成本较低。适用于小电流，对成本要求比较严的产品。缺点：由于二极管的PN结在导通时，存在一个压降，一般在0.7V以下。www.kiaic.com/article/detail/3127.html 2021-10-22
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IGBT：平面型与沟槽型结构特性详解-KIA MOS管
很多读者第一次接触到这两个名词的时候，可能会顾名思义地认为，平面型IGBT的电流就是水平流动的，而沟槽栅IGBT的电流就是在垂直方向上流动的。其实这是一个误解，不论平面型还是沟槽型的IGBT，电流都是在垂直方向上流动的。www.kiaic.com/article/detail/3105.html 2021-10-13
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教你正确测量MOSFET尖峰电压图文详解-KIA MOS管
测量开关电源输出纹波和功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候，通常要去除示波器探头的帽子，直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端，减小地线的环路，从而减小空间耦合的干扰信号，如图1所示。www.kiaic.com/article/detail/3104.html 2021-10-12
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MOS器件--耗尽层和反型层详解以及区别-KIA MOS管
反型层是半导体材料中的一层，在某些条件下，多数载流子的类型在一定条件下变化。在通常的MOS器件中，反型层构成导电沟道，是器件导通的原因，表面反型状态对MOS器件至关重要。www.kiaic.com/article/detail/3089.html 2021-10-08
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运算放大器同相放大与反相放大的区别详解-KIA MOS管
运算放大器（简称“运放”）是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。它是一种带有特殊耦合电路及反馈的放大器。其输出信号可以是输入信号加、减或微分、积分等数学运算的结果。由于早期应用于模拟计算机中用以实现...www.kiaic.com/article/detail/3078.html 2021-09-27
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MOSFET芯片-结温定义和温升计算详解-KIA MOS管
结温（Junction Temperature）是电子设备中半导体的实际工作温度。在操作中，它通常较封装外壳温度（Case Temperature）高。温度差等于其间热的功率乘以热阻。www.kiaic.com/article/detail/3057.html 2021-09-16
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经典电路：晶体管载波振荡电路图文详解-KIA MOS管
晶体管载波振荡电路，该振荡电路设计在4.5kHz频率上，可使用低频晶体管，使用高频晶体管对稳定度更有利。www.kiaic.com/article/detail/3049.html 2021-09-13