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一文详解，MOS管米勒效应电容问题该如何处理-KIA MOS管
MOS管米勒效应电容问题,米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象,然而, MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么问题来了:遇到这种情况,在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果 ?在什么情况下才考虑米勒电容?米勒电容影响的时...www.kiaic.com/article/detail/2411.html 2020-10-27
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什么是三端稳压器,三端稳压管工作详解！
电子产品一般三端稳压集成电路有一个正电压输出78xx系列79x系列和负电压输出。因此,公义,三端集成电路是指电压调整器和集成电路和三针输出,输入,接地端和输出端。它看起来像普通三极管、TO-220标准封装,有9013-92封装的。www.kiaic.com/article/detail/497.html 2020-10-26
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MOS管保护措施技术说明详解-KIA MOS管
MOS管保护措施：功率MOS管的SOA曲线,虽然功率MOS管有诸多优点,但在电路设计过程中,功率MOS管往往是最容易损坏的元件,要想安全可靠的使用好功率MOS管并不容易,因此功率MOS管的驱动和保护问题是功率器件设计的关键。www.kiaic.com/article/detail/2409.html 2020-10-26
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场效应管知识详解-场效应管如何导通,有哪些要点？必看-KIA MOS管
场效应管导通要点：场效应管是如何导通的 在使用场效应管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑场效应管的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。www.kiaic.com/article/detail/2408.html 2020-10-26
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详细分析mos场效应管的基本结构及工作原理-图文详解-KIA MOS管
MOS场效应管的基本结构，MOS场效应三极管分为：增强型（又有N沟道、P沟道之分）及耗尽型（分有N沟道、P沟道）。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见上图。其中：电极 D（Drain） 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；电极 G（Gate） 称为栅极，相当于的基极...www.kiaic.com/article/detail/1088.html 2020-10-23
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手机充电器电路图详解 手机充电器工作原理图介绍 KIA MOS管
电池的电路和结构设计提出了一些建议，希望生产厂家在电池的设计环节能充分考虑到电池的安全性。常见的电池外壳都是非金属的，但有的电池也采用金属外壳，后种情况下电池的电极终端与电池的金属外壳之间的绝缘电阻在500V直流电压下测量应大于5M&O1527;，除...www.kiaic.com/article/detail/811.html 2020-10-22
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详解常见三种电动车充电器电路图及结构和工作原理 KIA MOS管
常见电动车充电器电路图有三种第一种：下图为充电器的电路原理图，主要由整流滤波、高压开关、电压变换、恒流、恒压及充电控制等几部分组成。其基本原理是充电器将输入的220V市电电压经整流滤波后转变为直流300V左右的电压，通过开关管的接通和关断，使300V直流...www.kiaic.com/article/detail/818.html 2020-10-22
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场效应管的组成及场效应管的三种组态电路详解-KIA MOS管
场效应管的组成及场效应管的三种组态电路详解-KIA MOS管,场效应管的组成:历史:场效应管的组成，场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管，Junction-FET，JFET）。...www.kiaic.com/article/detail/2403.html 2020-10-22
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详解MOS管栅极驱动电阻如何优化设计，一文看懂-KIA MOS管
MOS管栅极驱动电阻如何优化设计，MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。www.kiaic.com/article/detail/2398.html 2020-10-21
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MOSFET图文详解-从器件物理层面看MOSFET的内部结构-KIA MOS管
从器件物理层面看MOSFET的内部结构 MOSFET的内部结构:MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是集成电路的基础。www.kiaic.com/article/detail/2382.html 2020-10-20
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MOS管知识-MOS管的导通过程和损耗分析详解-KIA MOS管
MOS管知识-MOS管的导通过程和损耗分析详解-KIA MOS管 1.MOS管的导通过程和损耗分析： MOS管导通过程 MOS管和三极管的特性曲线分别如图1和图2所示，它们各自区间的命名有所不同，其中MOS管的饱和区也称为恒流区、放大区。其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变...www.kiaic.com/article/detail/2391.html 2020-10-16
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场效应管稳压电路-稳压电源，电路图详解-KIA MOS管
场效应管稳压电路-稳压电源，电路图详解-KIA MOS管 场效应管稳压电路图（一） 场效应管稳压电路，?图所示的是采用功率场效应管组成的简易稳压电源电路。稳压二极管VD1及RP1组成一可调恒压源，向VT3提供参考电压，VT2、VT3组成比较放大器，VT1为调整管。该电路...www.kiaic.com/article/detail/2370.html 2020-10-14
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MOS管知识-mosfet体效应(衬偏效应)详解-KIA MOS管
关于MOSFET的体效应（body-effect,衬底调制效应／衬偏效应），主要是来源于mos管的S-B(Source-Bulk)端之间的偏压对MOSFET阈值电压vth的影响：以NMOS为例，当晶体管的（Source)电势高于体端（Bulk)电势时，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底，使耗尽层...www.kiaic.com/article/detail/2373.html 2020-10-12
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MOS管工作原理详解：各种mos管的转移特性曲线分析-KIA MOS管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变...www.kiaic.com/article/detail/2374.html 2020-10-10