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根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构,它是在P型半导体上生...
www.kiaic.com/article/detail/2231.html 2020-06-12
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电工基础知识电路图,在了解电路图之前,必须得知道电路图符号。接下来就会讲到电路图符号和电路图的知识。电路图,是指用电路元件符号表示电路连接的图。电路图是人们为研究、工程规划的需要,用物理电学标准化的符号绘制的一种表示各元器件组成及器件关系的原...
www.kiaic.com/article/detail/1231.html 2020-06-10
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本文主要解析功率mos管为何会被烧毁。mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电...
www.kiaic.com/article/detail/2215.html 2020-06-02
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电路板上mos管好坏判断,主要是用指针式万用表对MOS管进行判别。本文将会从5点来解析。MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两...
www.kiaic.com/article/detail/2204.html 2020-05-21
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碳化硅igbt的优势是什么?什么是碳化硅?碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化...
www.kiaic.com/article/detail/2203.html 2020-05-20
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碳化硅MOSFET有哪些优势,图中是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiC? MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平台下进行开关损耗的对比测试结果。母线电压800V, 驱动电阻RG=2.2Ω,驱动电压为15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二极管 IDH20G120C5作为续流二...
www.kiaic.com/article/detail/2191.html 2020-05-08
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220v接触器实物接线图,温控器电源直接220伏,常闭触点【超温断开触点】串联到控制回路中。另图中NO为常开,NC为常闭。补充:如果不接开关按钮而用温控器直接控制的话,电源零线接A1,火线经过温控仪的超温断开触点【常闭】接到A2即可,这样通电即可加热,设定...
www.kiaic.com/article/detail/1229.html 2020-05-06
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为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流及饱和区电流公式详解,随着漏源电压不断增大,当达到夹断电压时,沟道厚度在漏极处减薄为零,沟道在漏极处消失,该处只剩下耗尽层,这是所谓的夹断;漏源电压继续增大,沟道的夹断点向源极方向运动,那么在沟道和漏极之间...
www.kiaic.com/article/detail/2187.html 2020-04-29
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一种智能的碳化硅MOSFET驱动核及驱动要求与特性详解-KIA MOS管,在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
www.kiaic.com/article/detail/2183.html 2020-04-27
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MOS管作为半导体领域最基础的器件之一,无论是在IC 设计里,还是板级电路应用上,都十分广泛。MOS管一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)...
www.kiaic.com/article/detail/2182.html 2020-04-26
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功率放大器电路图是本文主要讲的内容,我们先来看看什么是功率放大器。功率放大器(英文名称:power amplifier),简称“功放”,是指在给定失真率条件下,能产生最大功率输出以驱动某一负载(例如扬声器)的放大器。功率放大器在整个音响系统中起到了“组织、...
www.kiaic.com/article/detail/2168.html 2020-04-15
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耗尽型与增强型MOS管的区别主要在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道存在,而增强型MOS管只有在开启后,才会出现导电沟道;两者的控制方式也不一样,耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制导通,而增强型MOS管必须使得VGS>VGS...
www.kiaic.com/article/detail/2164.html 2020-04-10
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LED日光灯电源不烧坏MOS管的4大注意详解,LED日光灯电源发热到一定程度会导致烧坏,关于这个问题,也见到过有人在行业论坛发过贴讨论过。本文将从芯片发热、功率管发热、工作频率降频、电感或者变压器的选择、LED电流大小等方面讨论LED日光灯电源发热烧坏MOS管...
www.kiaic.com/article/detail/2159.html 2020-04-03
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开关电源基于自身的体积小巧和转换效率高的特点已在电子产品中得到了广泛的应用,特别是美国PI公司开发的TOPSwitch系列高频开关电源集成芯片的泛起,使电路设计更为尺度成熟、简洁便捷。本文的设计原理可应用在TOPSwitch系列或其它系列的电源集成芯片的耐压扩展...
www.kiaic.com/article/detail/176.html 2020-03-31