对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：在 ON ...对于像mos管这样的半导体器件，要充当理想的开关，它必须具有以下特性：在 ON 状态下，它可以承载的电流量不应有任何限制。
MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致...MOS 晶体管正在按比例缩小，以最大限度地提高其在集成电路内的封装密度。这导致氧化层厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，泄漏电流...
在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit...在MOS源极和漏极接交流地时，器件的小信号电流增益降至1的频率称为：“transit frequency”(fT)截止频率
当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，其功耗应该是寄生二极管的正向电...当通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时，其功耗应该是寄生二极管的正向电压×电机电流。然而实际上，有时功耗可能会大于这个计算值。
栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1...栅极电压ON/OFF之后，MOSFET才ON/OFF。这个延迟时间为开关时间。开关时间如表1所示种类，一般而言，规格书上记载td(on)/ tr/ td(off)/ tf。
