PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMO...PMOS的高边防反接使用自驱效应，但其存在待机电流偏大和电流反灌隐患，并且PMOS价格偏高，几乎没有使用驱动IC+PMOS高边防反这种设计，所以为了均衡价格因素和Rdso...
高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的 N-的外延层，即 e...高压的功率 MOSFET 通常采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的 N-的外延层，即 epi 层，用来保证具有足够的击穿电压，低掺杂的 N-的 epi 层的尺寸越厚，耐压的额定值...
这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特...这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超级结技术生产的。这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承...
boost电路中，二极管和电感的平均电流的区别在于，当 mosfet 开启时，二极管中...boost电路中，二极管和电感的平均电流的区别在于，当 mosfet 开启时，二极管中的电流为 0，电感电流线性增大；当 mosfet 关断时，二极管与电感串联，二者电流相等...
输入偏置电流会流过外面的电阻网络，从而转化成运放的失调电压，再经运放话后就...输入偏置电流会流过外面的电阻网络，从而转化成运放的失调电压，再经运放话后就到了运入的输出端，造成了运放的输入误差。
