在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧...在构造上，功率MOSFET都存在寄生电容。MOSFET的G(栅极)端子和其他的电极间由氧化层绝缘，在DS(漏极、源极)间形成PN接合，成为内置二极管构造。其中，Cgs、Cgd的容...
MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影...MOSFET中用内部二极管，保护器件免受因连接的电感性负载,产生的反向EMF尖峰的影响。
对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压...对MOSFET的栅极进行充电和放电需要同样的能量，无论充放电过程快或慢（栅极电压的上升和下降）。因此，MOSFET驱动器的电流驱动能力并不影响由MOSFET栅极的容性负载...
使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、...使用MOSFET驱动器时可以采用许多不同的电路配置。很多时候，由于高的峰值电流、驱动电压快的上升 / 下降时间以及电路板上长走线引起的电感，需要考虑额外的钳位电...
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积，短路时候散热能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能够退饱和（desaturation）进入线性区，电流不再增加，能够自我限流。
