某些IGBT是单裸片组件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数...某些IGBT是单裸片组件，要么结合单片二极管作，要么不结合二极管；然而，大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值，用于计算结点至外壳热阻抗...
温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内...温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管)，但其他方法也可以用来监控温度。
如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，...如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是锂电池充放电电路，当外部电源断开时采用锂电池进行内部供电，即+5V电源断开...
3n150代替型号KNL42150A 3A1500V 产品特性： 高速开关 RDS(ON),typ.=6.5Ω@...3n150代替型号KNL42150A 3A1500V 产品特性： 高速开关 RDS(ON),typ.=6.5Ω@VGS=10V 全隔离塑料包装 应用程序： 切换应用程序
PMOS管-3.5A-20V KIA2305产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
