超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件而开发的，该技术已...超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件而开发的，该技术已用于改善导通电阻与击穿电压之间的制衡。采用超级结技术有助于降低导通电阻并提高M...
MOS管也可以没有栅极电阻的情况下工作，但添加一个栅极电阻可以防止一些潜在的...MOS管也可以没有栅极电阻的情况下工作，但添加一个栅极电阻可以防止一些潜在的问题。一般为1000 Ω就可以。请参阅下面的电路图，用于连接 MOSFET 栅极电阻器（下拉...
被动式PFC一般分“电感补偿式”和“填谷电路式（ValleyFillCircuit）”“电感补...被动式PFC一般分“电感补偿式”和“填谷电路式（ValleyFillCircuit）”“电感补偿方法”是使交流输入的基波电流与电压之间相位差减小来提高功率因数，被动式PFC包...
当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降...当使用5V电源,这时候如果使用传统的图腾柱结构,由于三极管的be有0.7V左右的压降,导致实际最终加在gate.上的电压只有4.3V。这时候,我们选用标称gate电压4.5V的MOS管...
框中的上方ICO为输出电容器、下方ICIN为输入电容器的电流波形。输入电容器可从...框中的上方ICO为输出电容器、下方ICIN为输入电容器的电流波形。输入电容器可从VIN充电，当晶体管Q1为ON时会放出开关电流IDD。比较大的电流会急剧反复流动。输出电...
