150N03场效应管代换型号KNB2803B漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽...150N03场效应管代换型号KNB2803B漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽加工技术，极低的导通电阻RDS(on)为2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗...
dfn封装和qfn封装是一种无引脚表面贴装封装结构，它们都是现代底部排放封装形式...dfn封装和qfn封装是一种无引脚表面贴装封装结构，它们都是现代底部排放封装形式，顶部嵌入式封装；dfn封装是单元体（footprint）的尺寸略大，在焊点面积、耐受能力...
引脚分布1脚为栅极，3脚为源极，2、4脚为漏极。有些封装2脚伸出可焊接，有些封...引脚分布1脚为栅极，3脚为源极，2、4脚为漏极。有些封装2脚伸出可焊接，有些封装2脚悬空。
KNY3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，极低的导通电阻RDS(on)仅为1...KNY3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，极低的导通电阻RDS(on)仅为1.9mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速切换、100%雪崩测试、允许...
当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下...当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升...
