DFN5*6 DFN3*3
MOS管封装形式
本文主要是讲述DFN5*6 DFN3*3 MOS管封装详情及型号,如有需要请联系我们,我们将竭诚为您服务。MOSFET芯片在制作完成之后,需要给MOSFET芯片加上一个外壳,即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用,同时还为芯片提供电气连接和隔离,以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB 方式来区分,MOS管封装主要有两大类:插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB 上。表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。
MOS管的作用是什么
MOS管对于整个供电系统而言起着稳压的作用。目前板卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要作用是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、GPU 和插槽等附近。MOS管一般是以上下两个组成一组的形式出现板卡上。
DFN封装
DFN/QFN是一种最新的的电子封装工艺,ON Semiconductor公司的各种元器件都采用了先进的双边或方形扁平无铅封装(DFN/QFN)。
DFN/QFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板(PCB)的安装垫、阻焊层和模版样式设计以及组装过程,都需要遵循相应的原则。 DFN/QFN封装概述 DFN/QFN平台具有多功能性,可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。下图就展示出了这一封装的灵活性。
DFN封装的制作方法
本实用新型涉及电子封装领域,更具体地说它涉及一种DFN封装。
现阶段MOS管封装内阻相对较高,散热差。利用新型的超薄DFN封装结构可以大大降低内阻,散热性能得到大幅度提升,应用领域更为广泛。
目前,现有技术中申请号为申请公布号为 CN102842550A的中国专利文件公开了一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构,其通过设置散热区然后在散热区与芯片之间设置软焊料层连接从而将芯片上热量导出散热。
该现有技术主要通过与外界的环境接触进行散热,但是该现有技术的散热结构与外界接触的面积有限因此散热性能较为一般。
DFN5*6封装尺寸外观图
DFN5*6封装型号
Part Numbe
|
ID(A)
|
VDSS(v)
|
RDS(Ω)(MAX)
|
RDS(Ω)(TYP)
|
ciss
|
pF
|
KIA100N03A
|
90
|
30
|
0.004
|
0.0031
|
2200
|
KNY3303A
|
90
|
30
|
0.004
|
0.0031
|
2200
|
KNY3103A
|
110
|
30
|
0.0026
|
0.0019
|
3650
|
DFN3*3封装尺寸及外观图
DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家
DFN5*6与DFN3*3封装MOS管厂家,KIA半导体开启了前行之路,注册资金1000万,办公区域达1200平方,已经拥有了独立的研发中心,研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队,可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案,同时引进多台国外先进设备,业务含括功率器件的直流参数检测、雪崩能量检测、可靠性实验、系统分析、失效分析等领域。强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域,不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源,也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新,力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
从设计研发到制造再到仓储物流,KIA半导体真正实现了一体化的服务链,真正做到了服务细节全到位的品牌内涵,我们致力于成为场效应管(MOSFET)功率器件领域的领跑者,为了这个目标,KIA半导体正在持续创新,永不止步!
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
请搜微信公众号:“KIA半导体”或扫一扫下图“关注”官方微信公众号
请“关注”官方微信公众号:提供 MOS管 技术帮助