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mos管电压规格是什么,什么是VMOS管栅极

信息来源:本站 日期:2017-07-31 

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电压规格:VDSS、VDS、BVDSS、V(BR)DSS

VDSS中的“V”表示电压,前面的“D”、“S”表示“Drain”(漏极)与“Source”(源极),最后一个“s”表示“Short”(短路)。VDSS的具体含义是“Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted”,中文含义是“栅极与源极短接时,漏极与源极问能够承受的最大电压”。有时候也称为“零栅压最大漏源电压”。


—-直称之为“电压规格”,之后我们还将这样称呼它,既简单又明了,同时还给它另一个称呼:耐压,这符合行业习惯。因为超过电压规格,VMOS就可能被击穿损坏,因此电压规格有时候也称为“零栅压击穿电压”。


BVDSS(漏源击穿电压)的含义虽然与VDSS略有差异,但是在数值上一般是相同的。一般技术手册中给出的VDSS为额定值,BVDSS给出的是最小值,所谓数值相同,是VDSS的额定值与BVDSS的最小值相同。由此可以看出来,VDSSV是侧重于测量的一个参数,BVDSS是侧重于电路应用的参数。

VDSS、VDS的含义相同,BVDSS、V(BR)DSS的含义相同,只是不同制造商的应用习惯有所不同。但是VDS也常常用来表示源极与漏极之间的实际电压而不是极限的击穿电压,因此为了避免歧义,采用的是VDSS。


很显然,VDSS表示的是VMOS在关断条件下承受正向电压的能力。在关断条件下,VMOS的栅极—源极间的偏置不外乎四种情况(图3.1)。


反向偏置指的是让VMOS关断程度加深的偏置电压,对于N沟道VMOS,显然是栅极电压低于源极电压的情况;P沟道则相反。这种方式在高频条件下比零栅压更为可靠,在实际的高频电路中,尤其是希望VMOS迅速关断的电路中,这种负栅压的偏置方法会经常出现。


旁路( Shunt)方法是希望VMOS的关断不要像反向偏置那么快,在常态下,与零栅压是相当的,未开封的新模块上常常会配置旁路电阻,以保护模块不会被静电击穿。在有些高速电路中,为了减小电路中的电流变化速度,也会采用旁路栅极的方法。旁路的另一个作用是,使VMOS的输入电阻不至于过高,有了旁路电阻,VMOS的输人电阻就大致等于旁路电阻的阻值。


对于VMOS而言,栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的,稍有不慎,就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿,而不管源极、漏极间的电压是高还是低。 除了槽栅结构的VMOS,零栅压、反相偏置、旁路情况下测得的击穿电压是大致相等的;对于槽栅结构的VMOS,零栅压情况下测得的击穿电压最高。因此,VDSS表示的是VMOS在关断条件下承受正向电压的最高能力。


图3.1中的可调电流源”指的是限流电路,保证回路电流不超过某一设定值,“可调电压源”就比较容易理解了。这两种电源符号在测试晶体管的电路中会经常出现。