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电路中的场效应管原理图是什么,增强型MOSFET特性与BJT是否相同?

信息来源:本站 日期:2017-08-04 

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电路中的FET

FET(场效应管)的种类繁多,电路原理图的符号画法也有很多种,好在差别都不大,常用的JFET和增强型VMOS的画法如图1.33所示。

符号外面是否要带一个圆圈,则是习惯问题,通常手绘图考虑到便利性,这个圆圈都是不画的。在CAD制图逐渐流行的今大,这个圆圈出现的儿率也有减少的趋势。需要说明的是,FET电路符号中的箭头并不表示电流方向,而是表示电场方向。


体二极管是内置的保护二极管,防止漏极—源极被反向电压击穿,这在大功率电路中是非常常见的,这与继电器电路中常常会在继电器的线圈两端画上一个二极管的功能是一样的。多数功率MOSFET均已经内置了体二极管,而小功率的MOSFET体二极管则一般不会内置体二极管,电路图中一般也不会有体二极管出现。


我们已经知道JFET具有双向导电特性,即漏极与源极可以互换,这是有条件的,这个条件就是低电压、小电流,目前常用的小功率JFET的实际应用也恰恰符合这个条件。MOSFET其实也具备这个特性,但是MOSFET多为功率器件,常用于大电流、高电压条件,加之内置了体二极管,小功率MOSFET也大多内置了体二极管,这个特性就不能用了。大功率的JFET,如HEMT的电路符号,大多也是有体二极管的。不过有时候二极管是外置的,这时候它的名称也发生了改变,不叫“体:极管”而是称为“续流二极管”,内置的体二极管也常常会被称为“续流二极管”,在功能上,它们的作用也是一样的。


因为漏极—源极不能反向偏置,因此大电流双向电子开关需要两个功率MOSFET来完成,就像图1.3那样。

如果你对BJT已经比较熟悉(情况常常如此),将FETLk作BJT可以让我们很快理解FET的偏置电路,就控制功能来说,也是合适的,图1.34以JFET为例,画出了二者的对应关系,MOSFET与之相同。

需要注意的是,图中的对应关系是近似的,实际上,JFET与耗尽型MOS-FET的偏置特性和BJT是相反的,即NPN型的BJT,基极与发射极之间需要正向偏置(基极电压高于发射极电压),N沟道的JFET,栅极与源极之间需要反向偏置(漏极电压低于源极电压)。增强型M()SFET的偏置特性与BJT则是相同的。


至于端子的英文符号是大写还是小写,也仅仅是一个使用习惯问题。对于BJT,三个端子的符号,大、小写出现的概率大致相同;对于FET,大写则是主流。


在实践上,我们会接触到各种来源的电路图,因此有必要了解FET的其他画法(图1. 35)。



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