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小信号参数MOS晶体管的工作区域是否会有什么变化,小信号参数是什么

信息来源:本站 日期:2017-08-22 

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在强反型状态下饱和区中的工作

小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化。假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态,而且工作在饱和区,求这种状况下的小信号参数。
应用第1章的式(1.18),可将跨导gm表示如下:

在能够疏忽沟道长度调制效应的状况下,得到

这个跨导gm能够用漏极电流ID表示为

也能够用漏极电流ID和栅极-源极间电压VGS表示为

体跨导gmb能够由下式求得:

由式(1.18)和式(1.20),能够分别导出

所以得到

应用式(1.18),能够将漏极电导表示为

应用这些小信号参数,能够将小信号漏极电流id表示为下式:

CMOS模仿电路中主要运用的下作区域是强反型的饱和区。表2.1列出这个工作区域中的小信号参数。
mos管


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