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mos击穿,mos管击穿的原因及解决方法-分析大全

信息来源:本站 日期:2017-10-27 

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关于穿通击穿,有以下一些特征:

(1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有逐渐增大的特征,这是因为耗尽层扩展较宽,发生电流较大。另一方面,耗尽层展广大容易发生DIBL效应,使源衬底结正偏呈现电流逐渐增大的特征。

(2)穿通击穿的软击穿点发生在源漏的耗尽层相接时,此刻源端的载流子注入到耗尽层中, 被耗尽层中的电场加快到达漏端,因此,穿通击穿的电流也有急剧增大点,这个电流的急剧增大和雪崩击穿时电流急剧增大不同,这时的电流相当于源衬底PN结正向导通时的电流,而雪崩击穿时的电流主要为PN结反向击穿时的雪崩电流,如不作限流,雪崩击穿的电流要大。

(3)穿通击穿一般不会呈现破坏性击穿。因为穿通击穿场强没有到达雪崩击穿的场强,不会发生许多电子空穴对。

(4)穿通击穿一般发生在沟道体内,沟道外表不容易发生穿通,这主要是因为沟道注入使外表浓度比浓度大构成,所以,对NMOS管一般都有防穿通注入。

(5)一般的,鸟嘴边际的浓度比沟道中心浓度大,所以穿通击穿一般发生在沟道中心。

(6)多晶栅长度对穿通击穿是有影响的,跟着栅长度添加,击穿增大。而对雪崩击穿,严格来说也有影响,可是没有那么明显。

MOS管被击穿的原因及解决方案如下:

第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又十分小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少数电荷就可在极间电容上构成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。尽管MOS输入端有抗静电的维护措施,但仍需当心对待,在存储和运送中最好用金属容器或许导电资料包装,不要放在易发生静电高压的化工资料或化纤织物中。拼装、调试时,东西、外表、工作台等均应杰出接地。要避免操作人员的静电搅扰构成的损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,手或东西在触摸集成块前最好先接一下地。对器材引线矫直曲折或人工焊接时,运用的设备有必要杰出接地。

第二、MOS电路输入端的维护二极管,其导通时电流容限一般为1mA 在可能呈现过大瞬态输入电流(超越10mA)时,应串接输入维护电阻。而129#在初期设计时没有参加维护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因,而经过替换一个内部有维护电阻的MOS管应可避免此种失效的发生。还有因为维护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使维护电路失去效果。所以焊接时电烙铁有必要可靠接地,以防漏电击穿器材输入端,一般运用时,可断电后使用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚。

MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空的G很容易接受外部搅扰使MOS导通,外部搅扰信号对G-S结电容充电,这个细小的电荷能够贮存很长时刻。在实验中G悬空很风险,许多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路搅扰信号就不会直通了,一般能够10~20K。

这个电阻称为栅极电阻。效果1:为场效应管供给偏置电压;效果2:起到泻放电阻的效果(维护栅极G~源极S)。榜首个效果好了解,这儿解释一下第二个效果的原理:维护栅极G~源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少数的静电就能使他的G-S极间的等效电容两头发生很高的电压,如果不及时把这些少数的静电泻放掉,他两头的高压就有可能使场效应管发生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,然后起到了维护场效应管的效果。