直流电机控制pmos,-100v pmos,KPD6610B场效应管参数-KIA MOS管
-100v pmos,KPD6610B参数引脚图
KPD6610B场效应管漏源击穿电压-100V，漏极电流-15A，低导通电阻RDS(开启) 170mΩ；具有低噪声，提高信号的保真度、高阈值电压，抗干扰能力强、低功耗，高效稳定；100% EAS保证、绿色设备，环保可靠；适用于电源管理、直流电机控制等多种应用场景；封装形式：TO-252，体积小、散热良好。
-100v pmos,KPD6610B参数
漏源电压：-100V
漏极电流：-15A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-60A
雪崩能量单脉冲：49MJ
总功耗：61W
阈值电压：-1.2-2.2V
总栅极电荷：19nC
输入电容：1228PF
输出电容：41PF
反向传输电容：29PF
开通延迟时间：9nS
关断延迟时间：39nS
上升时间：6ns
下降时间：33ns
-100v pmos,KPD6610B规格书
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