充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管
1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图
KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等多种应用；封装形式：TO-220F，散热良好，结构坚固。
1000v场效应管,KNF45100A参数
漏源电压：1000V
漏极电流：6A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：24A
单脉冲雪崩能量：500MJ
总功耗：65W
阈值电压：3-5V
总栅极电荷：35nC
输入电容：1600PF
输出电容：130PF
反向传输电容：20PF
开通延迟时间：22nS
关断延迟时间：45nS
上升时间：45ns
下降时间：50ns
1000v场效应管,KNF45100A规格书
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