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mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管

信息来源:本站 日期:2025-06-04 

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mmbt5401参数引脚图

MMBT5401高压PNP双极晶体管,该器件设计为通用放大器和开关,用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。

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电压特性

集电极-发射极电压(VCEO):150V

集电极-基极电压(VCBO):160V

发射极-基极电压(VEBO):5V


电流与功率

集电极电流(Ic):500-600mA

功率耗散(Pc):300-350mW


增益与频率

直流电流增益(hFE):50(最小值)至240(最大值)。

跃迁频率(T):100-300MHz。


封装类型:SOT-23(3引脚)

尺寸:2.9×1.3×0.94mm(长×宽×高)。

工作温度:-55℃至+150℃。

饱和压降:集电极-发射极(VCE(sat))≤0.5V

截止电流(ICBO):≤0.1μA

mmbt5401资料手册

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