mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管
	
	mmbt5401参数引脚图
	MMBT5401高压PNP双极晶体管,该器件设计为通用放大器和开关,用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。 
	
 
	电压特性 
	集电极-发射极电压(VCEO):150V 
	集电极-基极电压(VCBO):160V 
	发射极-基极电压(VEBO):5V 
	
	电流与功率 
	集电极电流(Ic):500-600mA 
	功率耗散(Pc):300-350mW 
	
	增益与频率 
	直流电流增益(hFE):50(最小值)至240(最大值)。 
	跃迁频率(T):100-300MHz。 
	
	封装类型:SOT-23(3引脚) 
	尺寸:2.9×1.3×0.94mm(长×宽×高)。 
	工作温度:-55℃至+150℃。 
	饱和压降:集电极-发射极(VCE(sat))≤0.5V 
	截止电流(ICBO):≤0.1μA 
	mmbt5401资料手册
	
 
	
 
	
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