mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管
mmbt5401参数引脚图
MMBT5401高压PNP双极晶体管,该器件设计为通用放大器和开关,用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装,专为低功耗表面贴装应用而设计。
电压特性
集电极-发射极电压(VCEO):150V
集电极-基极电压(VCBO):160V
发射极-基极电压(VEBO):5V
电流与功率
集电极电流(Ic):500-600mA
功率耗散(Pc):300-350mW
增益与频率
直流电流增益(hFE):50(最小值)至240(最大值)。
跃迁频率(T):100-300MHz。
封装类型:SOT-23(3引脚)
尺寸:2.9×1.3×0.94mm(长×宽×高)。
工作温度:-55℃至+150℃。
饱和压降:集电极-发射极(VCE(sat))≤0.5V
截止电流(ICBO):≤0.1μA
mmbt5401资料手册
联系方式:邹先生
座机:0755-83888366-8022
手机:18123972950(微信同号)
QQ:2880195519
联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持
免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。
