逆变器mos管,30a500v场效应管,8150场效应管,KNH8150A-KIA MOS管
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30a500v,8150场效应管参数引脚图
KNH8150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流30A，采用先进的平面加工技术制造，低导通电阻RDS(开启) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷使开关损耗最小化；坚固的多晶硅栅极工艺，性能优越、适合高集成度电路设计；广泛用于无刷直流电机驱动器、电焊机、高效开关电源等领域，封装形式：TO-3P，散热出色、适合高功率应用。
30a500v,8150场效应管参数
漏源电压：500V
漏极电流：30A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：120A
雪崩能量单脉冲：2000MJ
总功耗：333W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：110nC
输入电容：4152PF
输出电容：506PF
反向传输电容：85PF
开通延迟时间：35nS
关断延迟时间：109nS
上升时间：116ns
下降时间：75ns
30a500v,8150场效应管规格书
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