pmos与nmos的区别,工作原理详解-KIA MOS管
pmos与nmos的区别
结构区别
NMOS：以P型半导体为衬底，两侧为N型扩散区（源极S与漏极D），形成N型导电沟道。
PMOS：以N型半导体为衬底，两侧为P型扩散区，形成P型导电沟道。
符号区别
NMOS符号：箭头指向栅极（G），表示衬底与N沟道的PN结方向。
PMOS符号：箭头背向栅极，表示沟道与衬底的PN结方向。
导通特性区别
导通条件：
NMOS：栅源电压VGS>阈值电压（正电压），例如VGS＞2.5V时导通。
PMOS：栅源电压VGS<阈值电压（负电压），例如VGS〈-2.5V时导通。
电流方向：
NMOS电流从漏极（D）流向源极（S）。
PMOS电流从源极（S）流向漏极（D）。
工作原理
NMOS的工作原理是通过控制栅极的电压来控制MOS管的开关，它是利用P型半导体里少量自由电子移动，形成N沟道进行工作的。它的导通电压VGS要大于一定值才会导通。
而PMOS正相反，它是利用N型半导体里的空穴移动进行工作。
原理是给栅极施加负电压，N型区的电子就会被排斥远离绝缘层，而空穴则会被吸引形成P沟道，所以它的VGS要小于一定值才会导通。
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