6610mos管,pwm调光,15a100v场效应管,KNY6610A参数-KIA MOS管
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15a100v场效应管,KNY6610A参数引脚图
KNY6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，采用先进的平面沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，性能优越；具有低交叉失真、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；适用于PWM调光、电源管理、负载开关等；封装形式：DFN5*6。
15a100v场效应管,KNY6610A参数
漏源电压：100V
漏极电流：15A
栅源电压：±20V
阈值电压：1.7V
脉冲漏电流：60A
单脉冲雪崩能量：3.5MJ
功率耗散：55W
总栅极电荷：19.2nC
输入电容：1073PF
输出电容：57PF
反向传输电容：31PF
开通延迟时间：12.6nS
关断延迟时间：32.5nS
上升时间：6ns
下降时间：4.3ns
15a100v场效应管,KNY6610A规格书
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