2920场效应管,高频开关mos,200v130a,KCP2920K参数-KIA MOS管
2920场效应管,高频开关mos,200v130a,KCP2920K参数-KIA MOS管
200v130a,KCP2920K场效应管参数引脚图
KCP2920K场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流130A，采用专利新型沟槽工艺制造，SGT MOSFET技术，提升功率密度，性能优越；极低导通电阻RDS(开启) 9.8mΩ，减少导电损失，低栅极电荷减少开关损耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠；适用于DC-DC转换器、高频开关、同步整流等；封装形式：TO-220。
200v130a,KCP2920K场效应管参数
漏源电压：200V
漏极电流：130A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：440A
单脉冲雪崩能量：2000MJ
功率耗散：333W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：75nC
输入电容：6780PF
输出电容：390PF
反向传输电容：5PF
开通延迟时间：40nS
关断延迟时间：45nS
上升时间：15ns
下降时间：10ns
200v130a,KCP2920K场效应管规格书
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