场效应管的夹断电压是什么？-KIA MOS管
场效应管夹断电压
场效应管的关键参数：
开启电压VGS(th)（或VT）
开启电压是MOS增强型管的重要参数。当栅源电压小于开启电压的绝对值时，场效应管将无法导通。
夹断电压VGS(off)（或VP）
夹断电压是耗尽型场效应管（FET）的关键参数。当栅源电压VGS等于夹断电压VGS(off)时，漏极电流将降至为零。
夹断电压是场效应管（FET）的核心参数，指在栅源电压控制下使导电沟道完全夹断的临界电压值。对于结型场效应管（JFET）和耗尽型MOS管，该参数体现为漏极电流趋近于零时的栅源电压阈值。该参数直接影响器件工作区域的划分，是区分饱和区与截止区的重要指标。
参数特性
数值范围：N沟道器件通常为负值，P沟道为正值。
影响因素：由器件物理结构（如沟道掺杂浓度、宽度等）决定。
场效应管的夹断电压与截止电压
夹断电压（VP）是指当场效应管的漏极-源极电压（VDS）增大到一定程度时，沟道被夹断，电流无法继续增大，场效应管进入恒流区的临界电压。而截止电压（VGS(off)）则是指栅极-源极之间的反向电压增大到一定程度时，场效应管的输出电流降为零，器件进入截止区的电压。
从半导体物理的角度来看，夹断电压和截止电压都源于PN结的耗尽层效应。当场效应管的漏极-源极电压（VDS）增大时，漏极与栅极之间的反向电压也随之增大，导致PN结的耗尽层变厚，沟道逐渐变窄。当VDS达到夹断电压时，沟道被完全夹断，电流无法继续增大，场效应管进入恒流区。同样地，当栅极-源极之间的反向电压（VGS）增大到截止电压时，耗尽层进一步加宽，沟道被完全闭合，电流降为零，场效应管进入截止区。因此，无论是夹断电压还是截止电压，它们的本质都是耗尽层的扩展导致沟道的闭合。
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