600v24a mos,to247封装,KLM60R135BD场效应管参数-KIA MOS管
600v24a mos,KLM60R135BD参数引脚图
KLM60R135BD场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流24A，采用多层外延工艺的超结MOS，有效降低导通电阻Rds(on)和Qg，提高效率；极低导通电阻RDS（ON）110mΩ，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷Qg 46nC，减少开关损耗；具有高耐用性、超快开关速度以及100%雪崩测试、改进的dv/dt性能，稳定可靠；封装形式：TO-247，散热出色、适用于高耐压场景。
600v24a mos,KLM60R135BD参数
漏源电压：600V
漏极电流：24A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：72A
雪崩能量单脉冲：455MJ
总功耗：192W
总栅极电荷：48nC
阈值电压：2.5-4.5V
输入电容：2060PF
输出电容：100PF
反向传输电容：1.2PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：54nS
上升时间：35ns
下降时间：12ns
600v24a mos,KLM60R135BD规格书
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