600v场效应管,600v22a,to220f封装,KLF60R170B参数-KIA MOS管
600v场效应管,600v22a,to220f封装,KLF60R170B参数-KIA MOS管
600v场效应管,KLF60R170B参数引脚图
KLF60R170B漏源击穿电压600V，漏极电流22A，n沟道多外延Super-JMOSFET结合了高压耐压与低导通电阻的特性，低导通电阻RDS(on) 150mΩ，超低栅极电荷30.2nc，最大限度地减少导电损耗，提高系统效率。具备超快切换，适用于高频开关，100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强，结电容低，稳定可靠；广泛应用于开关电源等领域，封装形式：TO-220F，散热出色。
600v场效应管,KLF60R170B参数
漏源电压：600V
漏极电流：22A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：57A
单脉冲雪崩能量：985MJ
功率耗散：36W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：31nC
输入电容：1250PF
输出电容：3.5PF
反向传输电容：35PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：55nS
上升时间：9ns
下降时间：10ns
600v场效应管,KLF60R170B规格书
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