转移特性曲线和输出特性曲线详解-KIA MOS管
mos管特性曲线
输出特性曲线：N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1a所示。与结型场效应管一样，其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。
转移特性曲线：转移特性曲线如图1b所示，由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区)，此时iD几乎不随vDS而变化，即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的，所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。
转移特性曲线分析
说明的是栅极电压VGS对ID的控制作用。
从上图曲线可知：
1、测试条件：VDS=20V；
2、VGS的开启电压VGS（th)，约5V，且随着温度的升高而降低；
3、VGS需要达到10V以上，才能完全导通，达到其最大标称ID；4、VGS越大，ID才能越大，温度越高，ID越小；
输出特性曲线分析
1、夹断区（截止区）
此区域内，VGS未达到VGS（th)，MOS管不导通，即ID基本为零；
2、可变电阻区
此区域内，ID-VDS基本维持线性比例关系，斜率即为MOSFETQ的导通电子Rds(on)。
3、饱和区
此区域内，ID不再随着VDS的增大而增大。说明ID已经饱和了。
4、击穿区
此区域内，因VDS过大，MOSFET被击穿损坏。
当MOSFET工作在开关状态时，随着VGS的通/断，MOSFET是在截止区和可变电阻区来回切换的，在切换过程中可能会经过饱和区。当MOSFET工作于饱和区时，可以用来通过控制VGS的电压来控制电流ID，将MOSFET用于实现上电软启动电路。
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