mos管输出特性和转移特性,mos管特性曲线-KIA MOS管
mos管输出特性和转移特性
输出特性
漏极电流（IDS）与漏源电压（VDS）的关系，同时受栅源电压（VGS）调控。
主要分为三个区域：
1.截止区：VDS<VGS-VT时，IDS=0，呈截止状态；
2.线性区：VDS2VGS-VT时，IDS随VDS线性增长，表现为可变电阻特性；
3.饱和区：当VDS2(VGS-VT)时，IDS趋于饱和，电流不再随VDS显著变化。
转移特性
转移特性反映栅源电压对漏极电流的调控能力，表现为：
1.开启电压：n沟道MOS管需施加2VT的VGS才能形成导电沟道；
2.线性控制：VGS超过VT后，IDS随VGS增大呈指数增长；
3.温度影响：温度升高会导致VT下降（约-2mV/°C），影响电流控制精度。
两者关系可通过实验测试相互验证：输出特性曲线上的某一点对应转移特性曲线上的特定VGS值。
各类FET的特性：
转移特性曲线（VGS-ID曲线）
转移特性曲线展示了栅极电压（VGS）对漏极电流（ID）的控制作用。
N沟道增强型MOSFET：当VGS超过阈值电压（VTH）时，ID开始增加，曲线呈上升趋势。
P沟道增强型MOSFET：当VGS低于负阈值电压（-VTH）时，ID开始增加，曲线呈下降趋势。
N沟道耗尽型MOSFET：即使VGS=0V，ID仍存在，当VGS为负时，ID减小直至截止。
P沟道耗尽型MOSFET：即使VGS=0V，ID仍存在，当VGS为正时，ID减小直至截止。
输出特性曲线（VDS-ID曲线）
输出特性曲线展示了漏极电流（ID）随漏源电压（VDS）的变化关系。
截止区：VGS未达到阈值电压，ID几乎为零。
线性区（欧姆区）：ID随VDS线性增加，MOS管表现为可变电阻。
饱和区：ID基本不随VDS变化，仅由VGS决定，适用于恒流源或放大电路。
击穿区：VDS过高导致PN结击穿，ID急剧上升。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
