cmos反相器电路图,工作原理详解-KIA MOS管
cmos反相器
反相器的功能是把输入信号取反，输入高电平，输出低电平，反之亦然。
CMOS反相器由PMOS和NMOS组成。PMOS在上，接电源，NMOS在下，接地。当输入高电平时，NMOS导通，PMOS截止，输出接地，也就是低电平。输入低电平时，PMOS导通，NMOS截止，输出接电源，高电平。这样就能实现逻辑反转了。
cmos反相器电路结构
CMOS反相器电路结构是由PMOS和NMOS晶体管组合而成，其中PMOS晶体管位于上方，而NMOS晶体管则处于下方。
NMOS 和 PMOS 的栅极共接，作为输入（Vin）使用。
NMOS 和 PMOS 的漏极共接，作为输出（Vout）使用。
NMOS 的源极接地。
PMOS 的源极与接电源（VDD）。
虽然是 NMOS 和 PMOS 组合而成的简单结构，但它作为反相器电路在电路设计中发挥重要作用，即输入 Vin = 1 时，输出 Vout = 0；输入 Vin = 0 时，输出 Vout = 1。
PMOS：其源极和漏极掺杂有 P 型材料， 当在栅极上施加负电压时，会在栅极下方形成一个反型通道，允许电流从源极流向漏极。
NMOS：源极和漏极掺杂有 N 型材料，当在栅极上施加正电压时，会在栅极下方形成一个反型通道，从而允许电流从漏极流向源极。
例如，电源电压 (VDD) 代表高电平 "1" ，接地 (GND) 代表低电平 "0".
当 Vin = Low(0) 时：
PMOS 导通（ON），NMOS 截止（OFF）。Vout 通过 PMOS 与 VDD 连接，输出 Vout 为 High(1)。
当 Vin = High(1) 时：
NMOS 导通（ON），PMOS 截止（OFF）。Vout 通过 NMOS 与 GND 连接，输出 Vout 为 Low(0)。
注：由于在 PMOS 源极加了高电平 VDD，当 PMOS 栅极为 0V 时，相对于源极而言，栅极电压为负，因此 PMOS 在栅极= 0V 时导通。
在 CMOS 反相器中，根据输入电压的高或低，NMOS 或 PMOS 中必定有一个处于关闭状态，由于维持 1/0 状态不需要额外用电，所以 CMOS 具有低功耗的特点。
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