充电mos,1000v场效应管,to220f封装,KNF41100A参数-KIA MOS管
充电mos,1000v场效应管,to220f封装,KNF41100A参数-KIA MOS管
1000v场效应管,KNF41100A参数引脚图
KNF41100A超高压场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 9.6Ω，最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷最小化开关损耗、高效低耗；快速恢复体二极管用于反向电压保护和续流功能，提高器件的开关速度和效率，稳定可靠，符合RoHS，环保无铅；广泛应用于SMPS备用电源、适配器、充电器；封装形式：TO-220F，散热出色、适合高功率场景。
1000v场效应管,KNF41100A参数
漏源电压：1000V
漏极电流：2A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：8A
雪崩能量单脉冲：80MJ
最大功耗：60W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：15nC
输入电容：370PF
输出电容：40PF
反向传输电容：4PF
开通延迟时间：8nS
关断延迟时间：36nS
上升时间：6ns
下降时间：15ns
1000v场效应管,KNF41100A规格书
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