电源切换mos,3310场效应管,to263封装,KCB3310A参数-KIA MOS管
电源切换mos,3310场效应管,to263封装,KCB3310A参数-KIA MOS管
3310场效应管,KCB3310A参数引脚图
KCB3310A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流90A，采用先进的SGT技术制造，极低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等；封装形式：TO-263。
3310场效应管,KCB3310A参数
漏源电压：100V
漏极电流：90A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：340A
雪崩能量单脉冲：529MJ
总功耗：166W
阈值电压：2.8V
总栅极电荷：66nC
输入电容：4600PF
输出电容：1250PF
反向传输电容：43PF
开通延迟时间：17.6nS
关断延迟时间：33.6nS
上升时间：30.2ns
下降时间：39.6ns
3310场效应管,KCB3310A规格书
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