电机驱动mos,3010场效应管,to263封装,KCB3010A参数-KIA MOS管
电机驱动mos,3010场效应管,to263封装,KCB3010A参数-KIA MOS管
电机驱动mos,3010场效应管参数引脚图
KCB3010A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流120A，采用先进SGT技术制造，先进的双沟道技术降低导通损耗、提高开关性能，极低导通电阻RDS(开启) 4.0mΩ，高效低耗；具有快速切换、低栅极电荷、低反向传输电容、雪崩强度高，在各种应用中稳定可靠，适用于电机驱动器和高速开关、锂电池保护板领域；封装形式：TO-263，体积小，散热良好。
电机驱动mos,3010场效应管参数
漏源电压：100V
漏极电流：120A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：480A
雪崩能量单脉冲：756.25MJ
总功耗：175W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：89.5nC
输入电容：6700PF
输出电容：880PF
反向传输电容：145PF
开通延迟时间：32nS
关断延迟时间：68.5nS
上升时间：55ns
下降时间：31ns
电机驱动mos,3010场效应管规格书
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