100n03场效应管参数,30v90a,KIA100N03AD参数-KIA MOS管
100n03场效应管参数引脚图
KIA100N03AD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，采用KIA半导体的先进平面条纹DMOS技术制造，极低RDS(on)=3.3mΩ，最小化通态电阻，提供了优越的开关性能；100n03场效应管在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲，具有增强的dv/dt能力、快速切换等特性，绿色设备可用；适用于高效率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑以及小功率LED、锂电池保护板等产品领域，封装形式：TO-252。
100n03场效应管参数
漏源电压：30V
漏电流连续：90A
栅源电压：±20A
脉冲漏极电流：360A
雪崩电流：50A
雪崩能量：125mJ
耗散功率：88W
栅极阈值电压：1.6V
总栅极电荷：24nC
输入电容：3070PF
输出电容：400PF
反向传输电容：315PF
开启延迟时间：12.6ns
关断延迟时间：12.6ns
上升时间：42.8ns
下降时间：13.2ns
100n03场效应管参数规格书
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
QQ：2880195519
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号
关注官方微信公众号：提供 MOS管 技术支持
免责声明：网站部分图文来源其它出处，如有侵权请联系删除。
