2n60场效应管参数引脚图,600v2a,KIA2N60HP-KIA MOS管
2n60场效应管参数引脚图
KIA2N60HP场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流2A，低导通电阻RDS(开启) 4.1Ω，最大限度地减少导电损耗；具有低栅极电荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切换能力，高效低耗；指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；专为高压、高速的功率开关应用而设计，例如开关稳压器、开关转换器、电磁阀、电机驱动器、继电器驱动器等；封装形式：TO-220。
2n60场效应管参数
漏源电压：600V
漏极电流：2A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：8A
单脉冲雪崩能量：120MJ
功率耗散：55.5W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：9nC
输入电容：200PF
输出电容：20PF
反向传输电容：4PF
开通延迟时间：10nS
关断延迟时间：25nS
上升时间：25ns
下降时间：30ns
2n60场效应管参数规格书
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