50n03场效应管,30v50a,to252,KIA50N03CD参数资料-KIA MOS管
50n03场效应管,30v50a,to252,KIA50N03CD参数资料-KIA MOS管
30v50a,50n03场效应管参数引脚图
50n03场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，极低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；具有高输入阻抗、低功耗、低交叉电流、快速开关特性以及100%经雪崩测试、提升dv/dt性能，在运行中高效稳定可靠；广泛应用于PWM应用、电源管理、负载开关等；封装形式：TO-252，散热良好。
30v50a,50n03场效应管参数
漏源电压：30V
漏极电流：50A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：120A
单脉冲雪崩能量：121MJ
功率耗散：36W
阈值电压：1.6V
总栅极电荷：21nC
输入电容：1271PF
输出电容：130PF
反向传输电容：112PF
开通延迟时间：13nS
关断延迟时间：27nS
上升时间：19ns
下降时间：20ns
30v50a,50n03场效应管规格书
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