350v场效应管,6035场效应管,to220,KIA6035AP参数-KIA MOS管
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350v场效应管,KIA6035AP参数引脚图
KIA6035AP场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A，采用先进的平面条纹DMOS技术制造，低导通电阻RDS(开启) 0.6Ω，有效降低导通状态电阻，提供卓越的开关性能；并在雪崩模式和换向模式下承受高能量脉冲。还具有低栅极电荷、高耐用性、快速开关能力、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，在运行中高效稳定可靠；广泛应用于高效开关电源，以及基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正系统等；封装形式：TO-220，散热良好。
350v场效应管,KIA6035AP参数
漏源电压：350V
漏极电流：11A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：36A
雪崩能量单脉冲：423MJ
最大功耗：99W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：15nC
输入电容：844PF
输出电容：162PF
反向传输电容：4PF
开通延迟时间：25nS
关断延迟时间：77nS
上升时间：23.5ns
下降时间：47.5ns
350v场效应管,KIA6035AP规格书
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