3706场效应管,60v50a mos,to252,KND3706A参数-KIA MOS管
                    
                 
                
                	
	3706场效应管,60v50a mos,to252,KND3706A参数-KIA MOS管
	
	60v50a,3706场效应管参数引脚图
	KND3706A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流50A,采用先进的高密度沟槽技术制造,为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS(导通)和栅极电荷性能。具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ,最大限度地减少导电损耗,提高效率;超低栅极电荷、100%EAS认证、卓越的Cdv/dt效应衰减、符合RoHS环保标准,稳定可靠;广泛应用于开关电源、电池管理系统等;封装形式:TO-252,散热良好。 
	 
 
	60v50a,3706场效应管参数
	漏源电压:60V 
	漏极电流:50A 
	栅源电压:±20V 
	脉冲漏电流:100A 
	单脉冲雪崩能量:72.2MJ 
	功率耗散:52W 
	阈值电压:2-4V 
	总栅极电荷:33nC 
	输入电容:2180PF 
	输出电容:2550PF 
	反向传输电容:170PF 
	开通延迟时间:10.5nS 
	关断延迟时间:65nS 
	上升时间:9ns 
	下降时间:4.5ns 
	60v50a,3706场效应管规格书
	 
 
	 
 
	联系方式:邹先生 
	座机:0755-83888366-8022 
	手机:18123972950(微信同号) 
	QQ:2880195519 
	联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902 
	
	搜索微信公众号:“KIA半导体”或扫码关注官方微信公众号 
	关注官方微信公众号:提供 MOS管 技术支持 
	免责声明:网站部分图文来源其它出处,如有侵权请联系删除。 
	