车载逆变器mos,500v20a,KNF7150A场效应管参数资料-KIA MOS管
500v20a,KNF7150A场效应管参数
KNF7150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.24Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，高效低耗，稳定可靠；广泛应用于车载逆变器、LED驱动电源、开关电源中；封装形式：TO-220F。
详细参数：
漏源电压：20V
漏极电流：500A
导通电阻：0.24Ω
栅源电压：±30V
雪崩能量单脉冲：1500MJ
总功耗：60W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：65nC
输入电容：2650pF
输出电容：255pF
反向转移电容：34pF
开通延迟时间：34nS
关断延迟时间：164nS
上升时间：76ns
下降时间：85ns
500v20a,KNF7150A场效应管参数
500v20a,KNF7150A场效应管规格书
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