电机驱动mos,9150场效应管,500v40a,KNH9150A参数-KIA MOS管
电机驱动mos,9150场效应管,500v40a,KNH9150A参数-KIA MOS管
500v40a,9150场效应管参数
KNH9150A场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流40A，采用先进平面工艺制造，低导通电阻RDS(on) 88mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具有坚固的多晶硅栅极结构，稳定可靠，提供卓越的开关性能；广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效SMPS等，封装形式：TO-3P，散热效果好，适合高功率应用场景。
详细参数：
漏源极电压：500V
漏极电流：40A
导通电阻：88mΩ
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：160A
雪崩能量单脉冲：4000MJ
功率耗散：540W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：146nC
输入电容：7150PF
输出电容：815PF
反向传输电容：105PF
开通延迟时间：27nS
关断延迟时间：104nS
上升时间：40ns
下降时间：40ns
500v40a,9150场效应管引脚图
500v40a,9150场效应管规格书
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