mos管的电路符号,符号画法分享-KIA MOS管
mos管的电路符号
MOSFET的三端标记分别为 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 电路符号有多种形式， 最常见的如下图所示， 以一条垂直线代表沟道(Channel)， 两条和沟道平行的接线代表源极(Source)与漏极(Drain)， 左方和沟道垂直的接线代表栅极(Gate)。 有时也会将代表沟道的直线以虚线代替， 以区分增强型(enhancement mode)MOSFET 或是耗尽型(depletion mode)MOSFET。
栅极（G）：垂直线或与沟道垂直的接线，控制导电沟道。
源极（S）：与箭头相连的接线，连接电流输入/输出端。
漏极（D）：不与箭头相连的接线，连接电流输出/输入端。
衬底表示：箭头指向栅极表示N沟道，背向表示P沟道，箭头必须与源极连接以区分电极。
耗尽型与增强型区别
耗尽型在 Gate 不加电压， 即栅极电压为0时有导电沟道存在， 而增强型只有在开启后才会出现导电沟道。
控制方式也不一样， 耗尽型的栅极电压 Vgs 可以用正，零，负电压控制导通， 增强型必须使 Vgs > Vth(栅极阈值电压) 才行。
耗尽型MOS管在实际应用中， 设备开机时可能会误触发MOS管， 导致整机失控， 所以在实际应用中使用较少。 大功率MOS管以增强型为主， 只有在中小功率产品中包含耗尽型。 常规开关电源以及类似正电压导通做开关作用的场合均为增强型， 有些放大电路， 逆变电路还有些高频电路中选择耗尽型。
常规选型以增强型为主，特定场合如需要负电压开启，开关速度需求过高，用作信号放大等等特定场合才用耗尽型。
mos管的电路符号画法
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