电源适配器mos,1200v12a,KNM63120A场效应管参数-KIA MOS管
1200v12a,KNM63120A场效应管参数
KNM63120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流12A，开关速度快，高效稳定；低导通电阻RDS(on) 1.2Ω，能够最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化开关损耗；具有快速恢复体二极管，防止反向电压击穿、提供续流保护、降低导通损耗，以及在高频开关中提升效率；广泛应用于适配器、斩波器、SMPS 待机电源等，能够承受较大的耐压和电流；封装形式：TO-247，适合高功率应用场景。
详细参数：
漏源极电压：1200V
漏极电流：12A
导通电阻：1.2Ω
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：48A
雪崩能量单脉冲：700MJ
功率耗散：380W
阈值电压：2.5-4.5V
总栅极电荷：80nC
输入电容：3300PF
输出电容：305PF
反向传输电容：48PF
开通延迟时间：16nS
关断延迟时间：52nS
上升时间：10ns
下降时间：34ns
1200v12a,KNM63120A场效应管引脚图
1200v12a,KNM63120A场效应管规格书
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