bms电池管理mos,60v50a,to220,KNP3706A场效应管-KIA MOS管
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60v50a,KNP3706A场效应管参数
KNP3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能；具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，超低栅极电荷，开关速度快，高效低耗；100%EAS认证、卓越的Cdv/dt效应衰减、符合RoHS环保标准，稳定可靠；广泛应用于开关电源、电池管理系统等；封装形式：TO-220，散热良好。
详细参数：
漏源电压：60V
漏极电流：50A
导通电阻：9mΩ
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：100A
单脉冲雪崩能量：72.2MJ
功率耗散：80W
阈值电压：2-4V
总栅极电荷：33nC
输入电容：2180PF
输出电容：2550PF
反向传输电容：170PF
开通延迟时间：10.5nS
关断延迟时间：65nS
上升时间：9ns
下降时间：4.5ns
60v50a,KNP3706A场效应管引脚图
60v50a,KNP3706A场效应管规格书
联系方式：邹先生
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